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机构
上海微系统与信息技... [11]
采集方式
OAI收割 [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2008 [1]
2007 [3]
2005 [2]
2004 [5]
学科主题
Physics, ... [11]
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浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
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学科主题:Physics, Multidisciplinary
专题:上海微系统与信息技术研究所
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Simulation of phase-change random access memory with ring-type contactor for low reset current by finite element modelling
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3455-3458
Gong, YF
;
Ling, Y
;
Song, ZT
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
CRYSTALLIZATION
OPERATION
DEVICE
Ge1Sb2Te4 based chalcogenide random access memory array fabricated by 0.18-mu m CMOS technology
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 790-792
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Feng, GM
;
Liu, B
;
Wu, LC
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
PHASE
CRYSTALLIZATION
ALLOYS
DEVICE
Chalcogenide random access memory cell with structure of W sub-microtube heater electrode
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 262-264
Bo, L
;
Feng, GM
;
Wu, LC
;
Song, ZT
;
Liu, QB
;
Feng, SL
;
Bomy, C
收藏
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提交时间:2012/03/24
PHASE-CHANGE MEMORY
ION-BEAM METHOD
SB2TE3 MATERIAL
GE2SB2TE5 FILM
ELEMENT
CRYSTALLIZATION
Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS, 2007, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 2475-2478
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Liu, WL
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
OVONIC UNIFIED MEMORY
AMORPHOUS THIN-FILMS
OPTICAL DISK
RESISTANCE MEASUREMENTS
ELECTRICAL-PROPERTIES
GE2SB2TE5 FILM
TE GLASSES
CRYSTALLIZATION
IMPLANTATION
BEHAVIOR
Phase transition phenomena in ultra-thin Ge2Sb2Te5 film
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1803-1805
Zhang, T
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Liu, WL
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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提交时间:2012/03/24
OVONIC UNIFIED MEMORY
CRYSTALLIZATION
Reversible phase change for C-RAM nano-cell-element fabricated by focused ion beam method
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 758-761
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, BM
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
GE2SB2TE5 FILMS
CRYSTALLIZATION
TEMPERATURE
MEDIA
Novel material for nonvolatile ovonic unified memory (OUM)-Ag11In12Te26Sb51 phase change semiconductor
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS, 2004, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 1167-1170
Liu, B
;
Song, ZT
;
Zhang, T
;
Feng, SL
;
Gan, FX
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
AMORPHOUS THIN-FILMS
OPTICAL DISK
TELLURIDE GLASSES
HIGH-DENSITY
CRYSTALLIZATION
TRANSITION
GE20TE80-XBIX
AG
Single cell element of chalcogenide random access memory fabricated with the focused ion beam method
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 2054-2056
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILM
CRYSTALLIZATION
TEMPERATURE
MEDIA
Raman spectra and XPS studies of phase changes in Ge2Sb2Te5 films
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS, 2004, 卷号: 13, 期号: 11, 页码: 1947-1950
Liu, B
;
Song, ZT
;
Zhang, T
;
Feng, SL
;
Chen, BM
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
CRYSTALLIZATION BEHAVIOR
THIN-FILMS
MEMORY
SPECTROSCOPY
TRANSITIONS
MEDIA
SB
Effect of annealing temperature on the microstructure and resistivity of Ge2Sb2Te5 films
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 1143-1146
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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提交时间:2012/03/24
REVERSIBLE PHASE-TRANSITION
AMORPHOUS THIN-FILMS
ELECTRICAL-PROPERTIES
TELLURIDE GLASSES
MEMORY
CRYSTALLIZATION
SEMICONDUCTORS
GE20TE80-XBIX