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  • 西安光学精密机械研... [22]
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Composite laser rod, fabricating method thereof, and laser device therewith 专利  OAI收割
专利号: US20030214986A1, 申请日期: 2003-11-20, 公开日期: 2003-11-20
作者:  KOUTA, HIKARU;  SUZUKI, YOSHIKAZU;  KUDO, SHUETSU;  TSUNEKANE, MASAKI;  MUKAIHARA, KATSUJI
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Composite laser rod, fabricating method thereof, and laser device therewith 专利  OAI收割
专利号: US20030214986A1, 申请日期: 2003-11-20, 公开日期: 2003-11-20
作者:  KOUTA, HIKARU;  SUZUKI, YOSHIKAZU;  KUDO, SHUETSU;  TSUNEKANE, MASAKI;  MUKAIHARA, KATSUJI
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面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3467593B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-17
作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13
Method of fabricating a microelectronic device package with an integral window 专利  OAI收割
专利号: US6531341, 申请日期: 2003-03-11, 公开日期: 2003-03-11
作者:  PETERSON, KENNETH A.;  WATSON, ROBERT D.
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面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3395194B2, 申请日期: 2003-02-07, 公开日期: 2003-04-07
作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13
面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3240636B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-17
作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2547458B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
作者:  中津 弘志;  猪口 和彦;  厚主 文弘;  奥村 敏之;  滝口 治久
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18
Manufacture of semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1992186816A, 申请日期: 1992-07-03, 公开日期: 1992-07-03
作者:  SHIMADA KATSUTO
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Manufacture of photoelectronic integrated element 专利  OAI收割
专利号: JP1992142503A, 申请日期: 1992-05-15, 公开日期: 1992-05-15
作者:  AOKI MASAKANE;  HIROE AKIHIKO;  FUJITA SHUNSUKE
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Semiconductor crystal growing method 专利  OAI收割
专利号: JP1991218007A, 申请日期: 1991-09-25, 公开日期: 1991-09-25
作者:  HORIE KAYOKO;  OTSUKA TAKEO;  AKIYAMA NAOKI
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