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浏览/检索结果: 共28条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of inas nanowires on si substrates 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 7 作者:  Li, Tianfeng;  Chen, Yonghai;  Lei, Wen;  Zhou, Xiaolong;  Luo, Shuai 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Light extraction enhancement of gan led with a two-dimensional photonic crystal slab 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 3 作者:  Liu Hong-Wei;  Kan Qiang;  Wang Chun-Xia;  Hu Hai-Yang;  Xu Xing-Sheng 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane gan revealed by selective etching 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145 作者:  Wei, T. B.;  Yang, J. K.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Cl  Pl  Stacking fault  Hvpe  Gan  Nonpolar   Preparation and optical performance of freestanding gan thick films 期刊论文  iSwitch采集 Rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172 作者:  Hu Qiang;  Wei Tongbo;  Duan Ruifei;  Yang Jiankun;  Huo Ziqiang 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hvpe  Freestanding thick films  Stress release  Photoluminescence   Electrical and optical phase transition properties of nano vanadium dioxide thin films 期刊论文  iSwitch采集 Spectroscopy and spectral analysis, 2010, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 1002-1007 作者:  Liang Ji-ran;  Hu Ming;  Wang Xiao-dong;  Li Gui-ke;  Kan Qiang 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Nano vo(2) thin films  Optical phase transition  Electrical phase transition   Hydride vapor phase epitaxy growth of semipolar, 10(1)over-bar(3)over-bargan on patterned m-plane sapphire 期刊论文  iSwitch采集 Journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: H721-h726 作者:  Wei, T. B.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Wei, X. C.;  Yang, J. K. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy  Crystal orientation  Etching  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Photoluminescence  Red shift  Scanning electron microscopy  Semiconductor epitaxial layers  Semiconductor thin films  Vapour phase epitaxial growth  X-ray diffraction   Output characteristics of an inp/ingaasp triangle microcavity laser 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 3 作者:   收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization of thick gan films directly grown on wet-etching patterned sapphire by hvpe 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 4 作者:   收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Fabrication and infrared optical properties of nano vanadium dioxide thin films 期刊论文  iSwitch采集 Acta physico-chimica sinica, 2009, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 1523-1529 作者:   收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Dual ion beam sputtering  Nano-vanadium dioxide thin film  Transmission   Optical bistability in inp/gainasp equilateral-triangle-resonator microlasers 期刊论文  iSwitch采集 Optics letters, 2009, 卷号: 34, 期号: 12, 页码: 1852-1854 作者:  Huang, Yong-Zhen;  Wang, Shi-Jiang;  Yang, Yue-De;  Xiao, Jin-Long;  Hu, Yong-Hong 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12