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RF—MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125
作者:
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
刘新宇
;
刘键
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提交时间:2010/05/26
高电子迁移率晶体管
氮化镓
场效应晶体管
Rf—mbe
Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125
Wang Xiaoliang
;
Hu Guoxin
;
Wang Junxi
;
Liu Xinyu
;
Liu Hongxin
;
Sun Dianzhao
;
Zeng Yiping
;
Qian He
;
Li Jinmin
;
Kong Meiying
;
Lin Lanying
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/23
MBE生长的跨导为186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 5,484-488
作者:
胡国新
;
王军喜
;
刘宏新
;
孙殿照
;
曾一平
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/05/25
分子束外延
Algan/gan
高电子迁移率晶体管
氮化镓
功率器件
场效应晶体管
GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 142-144
作者:
刘超
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/23
MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
刘宏新
;
孙殿照
;
曾一平
;
李晋闽
;
孔梅影
;
林兰英
;
刘新宇
;
刘键
;
钱鹤
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提交时间:2010/11/23
气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
黄大定
;
李建平
;
高斐
;
林燕霞
;
孙殿照
;
刘金平
;
朱世荣
;
孔梅影
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提交时间:2009/06/11
Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1050
林燕霞
;
黄大定
;
张秀兰
;
刘金平
;
李建平
;
高飞
;
孙殿照
;
曾一平
;
孔梅影
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/23
GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 287
作者:
王玉田
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 559
李建平
;
黄大定
;
刘金平
;
刘学锋
;
李灵宵
;
朱世荣
;
孙殿照
;
孔梅影
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提交时间:2010/11/23
GSMBE原位生长SiGeHBT材料
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 1049
黄大定
;
刘金平
;
李建平
;
林燕霞
;
刘学锋
;
李灵霄
;
孙殿照
;
孔梅影
;
林兰英
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提交时间:2010/11/23