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半导体研究所 [18]
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OAI收割 [18]
内容类型
期刊论文 [18]
发表日期
2017 [8]
2016 [4]
2013 [1]
2011 [1]
2007 [2]
2006 [2]
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学科主题
光电子学 [18]
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共18条,第1-10条
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学科主题:光电子学
专题:半导体研究所
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Performance Enhanced by Inserting an InGaN/GaN Shallower-Quantum Well Layer in InGaN Based Green Laser Diodes
期刊论文
OAI收割
IEEE Photonics Journal, 2017, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 2300108
作者:
Jing Yang
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Ping Chen
;
Jianjun Zhu
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2018/11/30
Suppression of hole leakage by adding a hole blocking layer prior to the first quantum barrier in GaN-based near-ultraviolet laser diodes
期刊论文
OAI收割
Phys. Status Solidi A, 2017, 卷号: 214, 期号: 10, 页码: 1700320
作者:
Yao Xing
;
De Gang Zhao
;
De Sheng Jiang
;
Xiang Li
;
Feng Liang
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2018/07/11
Comparative study on the InGaN multiple-quantum-well solar cells assisted by capacitance-voltage measurement with additional laser illumination
期刊论文
OAI收割
Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: 725, 期号: 2017, 页码: 1130-1135
作者:
Wei Liu
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Ping Chen
;
Dongping Shi
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2018/07/11
Influence of Indium Content on the Unintentional Background Doping and Device Performance of InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Solar Cells
期刊论文
OAI收割
IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 2017, 卷号: 7, 期号: 4, 页码: 1017-1023
作者:
Wei Liu
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Ping Chen
;
Dongping Shi
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2018/07/11
Suppression of optical field leakage to GaN substrate in GaN-based green laser diode
期刊论文
OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 102, 期号: 2017, 页码: 484-489
作者:
Feng Liang
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2018/07/11
New design of upper waveguide with unintentionally doped InGaN layer for InGaN-based laser diode
期刊论文
OAI收割
Optics and Laser Technology, 2017, 卷号: 97, 页码: 284–289
作者:
Feng Liang
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2018/07/11
Influence of residual carbon impurities in a heavily Mg-doped GaN contact layer on an Ohmic contact
期刊论文
OAI收割
Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 14, 页码: 4197-4200
作者:
Feng Liang
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2018/07/11
Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p++-GaN layer
期刊论文
OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2017, 卷号: 467, 页码: 1-5
作者:
Feng Liang
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2018/07/11
Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2016, 卷号: 96, 页码: 220-225
Wei Liu
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Ping Chen
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
;
Jing Yang
;
Xiaoguang He
;
Xiaojing Li
;
Xiang Li
;
Feng Liang
;
Jianping Liu
;
Liqun Zhang
;
Hui Yang
;
Yuantao Zhang
;
Guotong Du
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2017/03/10
Comparative study of the differential resistance of GaAs- and GaN-based laser diodes
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology b, 2016, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 041211
Xiang Li
;
Zongshun Liu
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Ping Chen
;
Jianjun Zhu
;
Jing Yang
;
Lingcong Le
;
Wei Liu
;
Xiaoguang He
;
Xiaojing Li
;
Feng Liang
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/10