机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 会议论文 [6]

发表日期

• 2009 [1]
• 2006 [2]
• 1998 [3]

学科主题

• 半导体物理 [6]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    内容类型：会议论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots 会议论文  OAI收割 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/03/09 EMISSION   1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy 会议论文  OAI收割 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Niu, ZC; Zhang, SY; Ni, HQ; Wu, DH; He, ZH; Sun, Z; Han, Q; Wu, RG 收藏  |  浏览/下载：224/60  |  提交时间：2010/03/29 IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  NITROGEN  ORIGIN  DIODES   Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文  OAI收割 conference on ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials x, san jose, ca, jan 23-25, 2006 Sun, Z (Sun, Z.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：182/36  |  提交时间：2010/03/29 GaInNAs/GaAs quantum wells  optical properties  nonradiative recombination effect  time-resolved photoluminescence  PL decay dynamics  PL thermal quenching  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  EXCITATION   High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method 会议论文  OAI收割 semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998 Ma XY; Cao Q; Wang ST; Guo L; Wang ZM; Wang LM; He GP; Yang YL; Zhang HQ; Zhou XN; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/10/29 InGaAsP  strained layer quantum well  laser diode  MOCVD   Visible vertical cavity surface emitting laser 会议论文  OAI收割 semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998 Cheng P; Ma XY; Gao JH; Kang XJ; Cao Q; Wang HJ; Luo LP; Zhang CH; Lu XL; Lin SM 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/10/29 semiconductor lasers  oxidation   The study of single mode 650nm AlGaInP quantum well laser diodes for DVD 会议论文  OAI收割 semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998 Ma XY; Cao Q; Wang ST; Guo L; Wang LM; Yang YL; Zhang HQ; Zhang XY; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/10/29 AlGaInP  quantum well  laser diode  MOCVD  DVD