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• 微电子研究所 [9]

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• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [9]

发表日期

• 2017 [1]
• 2016 [4]
• 2014 [2]
• 2013 [1]
• 2011 [1]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation on the Robustness During Short-Circuit Turn-off and Its Tradeoff Characteristics With Performance in IGBTs 期刊论文  OAI收割 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017 作者:  Yang F(杨飞);  Zhu YJ(朱阳军);  Lu SJ(卢烁今);  Tan J(谭骥)   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2018/05/15 IGBT载流子增强技术发展概述 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2016 作者:  卢烁今;  田晓丽;  谭骥;  杨飞;  张广银   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/05/11 逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2016 作者:  卢烁今;  田晓丽;  张须坤;  沈千行;  张广银   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/05/11 IGBT感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2016 作者:  沈千行;  张广银;  杨飞;  腾渊;  田晓丽   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/05/11 A Novel IGBT Structure With Floating N-Doped Buried Layer in P-base to Suppress Latch-Up 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2016 作者:  Tian XL(田晓丽);  Lu SJ(卢烁今);  Teng Y(腾渊);  Shen QX(沈千行);  Zhang GY(张广银)   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/05/11 Increase of the Reliability of the Junction Terminations of Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor by Appropriate Backside Layout Design 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014 作者:  Teng Y(腾渊);  Zhang WL(张文亮);  Zhu YJ(朱阳军);  Lu SJ(卢烁今);  Tian XL(田晓丽)   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2015/05/06 The negative differential resistance characteristics of an RC-IGBT and its equivalent circuit model 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2014 作者:  Lu SJ(卢烁今);  Tian XL(田晓丽);  Zhu YJ(朱阳军);  Zhang WL(张文亮)   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/05/06 功率MOS和IGBT器件在无嵌位电感开关条件下的动态雪崩特性研究 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors, 2013 作者:  陆江;  韩郑生;  卢烁今;  田晓丽   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/11/04 功率MOS器件在不同温度条件下雪崩特性研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2011 作者:  陆江;  王立新;  卢烁今;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/09/07