机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2006 [9]

学科主题

• 半导体物理 [9]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The Stark effect on excitons in a bilayer system 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 1, 页码: art.no.013512 Wang L (Wang Li); Li SS (Li Shu-Shen) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/04/11 BOSE-EINSTEIN CONDENSATION  QUANTUM-WELLS  DOTS   Magnetotransport in two-dimensional electron gas: The interplay between spin-orbit interaction and Zeeman splitting 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 4, 页码: art.no.045303 Yang W; Chang K 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 QUANTUM-WELLS  IN0.53GA0.47AS/IN0.52AL0.48AS HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES  RELAXATION ANISOTROPY  GATE CONTROL  SYSTEMS   The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497 Wu DH; Niu ZC; Zhang SY; Ni HQ; He ZH; Sun Z; Han Q; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wells  nitrides  semiconducting III-V materials  IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  LASER-DIODES  TEMPERATURE  SURFACTANT  EMISSION  NITROGEN  ORIGIN   Spin-polarized transport in a lateral two-dimensional diluted magnetic semiconductor electron gas 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 8, 页码: art.no.082107 Yang W; Chang K; Wu XG; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：365/11  |  提交时间：2010/04/11 QUANTUM-WELLS  INJECTION  FILTER   Charge-density and spin-density excitations in a two-dimensional electron gas with Rashba spin-orbit coupling 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2006, 卷号: 74, 期号: 16, 页码: art.no.165315 Xu LJ (Xu L. J.); Wu XG (Wu X. G.) 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/04/11 QUANTUM-WELLS  COLLECTIVE EXCITATIONS  LANDAU-LEVEL  LAYERS  HETEROSTRUCTURE  OSCILLATIONS  SUBBAND  PLASMON  GAAS   Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529 作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Jiang DS;  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/04/11 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting III-V materials  MU-M  LASERS  TEMPERATURE  SURFACTANT  NM   Corrugated surfaces formed on GaAs(331)A substrates: the template for laterally ordered InGaAs nanowires 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1140-1145 Gong Z; Niu ZC; Fang ZD 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM-DOT SUPERLATTICES  VICINAL GAAS(001)  GAAS  WIRES  POLARIZATION  GROWTH  WELLS  TEMPERATURE  MECHANISM   Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文  OAI收割 conference on ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials x, san jose, ca, jan 23-25, 2006 Sun, Z (Sun, Z.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：182/36  |  提交时间：2010/03/29 GaInNAs/GaAs quantum wells  optical properties  nonradiative recombination effect  time-resolved photoluminescence  PL decay dynamics  PL thermal quenching  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  EXCITATION   Post-growth and in situ annealing on GaInNAs(Sb) and their application in 1.55 mu m lasers 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 279-282 作者:  Xu YQ;  Yang XH 收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  QUANTUM-WELLS  ORIGIN