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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation of InGaN Layer Grown Under In-Rich Condition by Reflectance Difference Spectroscopy Microscope 期刊论文  OAI收割 Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 卷号: 18, 页码: 7468–7472 作者:  Xiantong Zheng ;   Wei Huang ;   Hongwei Liang ;   Ping Wang ;   Yu Liu ;   Zhaoying Chen ;   Ping Liang ;   Mo Li ;   Jian Zhang ;   Yonghai Chen ;   Xinqiang Wang   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/11/14 Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si 期刊论文  OAI收割 Light-Science & Applications, 2018, 卷号: 7, 页码: 6 作者:  Sun, Y.;  Zhou, K.;  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Zhou, Y.   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/09/17 x-ray-diffraction  high-power  gan  dislocation  relaxation  films  Optics   Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11 Morphological dependent Indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells structure grown on 4 degrees misoriented sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3 作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11 Correlation between the structural and cathodoluminescence properties in InGaN/GaN multiple quantum wells with large number of quantum wells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2014, 卷号: 32, 期号: 5 作者:  Yang, J;  Yang H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2014/12/01 OPTICAL-PROPERTIES  STRAIN RELAXATION  GROWTH  LAYER  DOTS   Suppression of thermal degradation of InGaN/GaN quantum wells in green laser diode structures during the epitaxial growth 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 103, 期号: 15 作者:  Yang, H(杨辉);  Li, DY(李德尧);  Zhang, SM(张书明);  Wang, HB(王怀兵);  Liu, JP（刘建平） 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2014/01/15 C-PLANE GAN  HYDROGEN TREATMENT  INDIUM SEGREGATION  SUBSTRATE  DEFECTS   High-quality InGaN epilayers grown by PA-MBE and abnormal incorporation behavior of Indium into InGaN 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 8 作者:  Yang, H(杨辉);  Wang, JF(王建峰) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/01/13 InGaN epilayer  plasma-assisted molecular beam epitaxy  indium incorporation  crystalline quality   Low-Dose 1 MeV Electron Irradiation-Induced Enhancement in the Photoluminescence Emission of Ga-Rich InGaN Multiple Quantum Wells 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: - 作者:  Zhang Xiao-Fu;  Li Yu-Dong;  Guo Qi;  Lu Wu;  Lu, W (Lu Wu) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/11/07 Ingan/gan multiple quantum well solar cells with an enhanced open-circuit voltage 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 4 作者:  Zhang Xiao-Bin;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Yang Cui-Bai;  Hou Qi-Feng 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Ingan  Solar cell  Multiple quantum wells   InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with an enhanced open-circuit voltage 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 4 作者:  Zhang Xiao-Bin;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Yang Cui-Bai;  Hou Qi-Feng   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2021/02/02 InGaN  solar cell  multiple quantum wells