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Design of multi-frequency point, high-isolation switches for micro-channel plate data acquisition
期刊论文
OAI收割
REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 2023, 卷号: 94, 期号: 10
作者:
Yang, Yihao
;
Gou, Yongsheng
;
Yang, Yang
;
Feng, Penghui
;
Wang, Bo
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2023/12/06
Oxygen vacancies and local amorphization introduced by high fluence neutron irradiation in β-Ga
2
O
3
power diodes
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023, 卷号: 123
作者:
Liu, Jinyang
;
Han, Zhao
;
Ren, Lei
;
Yang, Xiao
;
Xu, Guangwei
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2023/11/10
A SiC asymmetric cell trench MOSFET with a split gate and integrated p(+)-poly Si/SiC heterojunction freewheeling diode
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2023, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 8
作者:
Jiang, Kaizhe
;
Zhang, Xiaodong
;
Tian, Chuan
;
Zhang, Shengrong
;
Zheng, Liqiang
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2023/10/07
split gate (SG)
heterojunction freewheeling diode (HJD)
SiC asymmetric cell trench MOSFET
turn-on loss
turn-off loss
A class of finite element methods with averaging techniques for solving the three-dimensional drift-diffusion model in semiconductor device simulations
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2022, 卷号: 458, 页码: 24
作者:
Zhang, Qianru
;
Wang, Qin
;
Zhang, Linbo
;
Lu, Benzhuo
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2023/02/07
Three-dimensional drift -diffusion model
Averaging technique
Finite element method
Semiconductor device
碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨圣
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提交时间:2021/08/27
SiC功率MOSFET
电离总剂量效应
高功率
开关频率
长期可靠性
A 2.5 ppm/degrees C Voltage Reference Combining Traditional BGR and ZTC MOSFET High-Order Curvature Compensation
期刊论文
OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 卷号: 68, 期号: 4, 页码: 1093-1097
作者:
Liu, Xifeng
;
Liang, Shan
;
Liu, Wenju
;
Sun, Ping
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2021/05/17
Voltage reference
ZTC
curvature compensation
a power model
CMOS process
PSRR
Effect of charge coupling on breakdown voltage of high voltage trench-gate-type super barrier rectifier
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 卷号: 70
作者:
Xu Da-Lin
;
Wang Yu-Qi
;
Li Xin-Hua
;
Shi Tong-Fei
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2021/04/26
trench-gate-type super barrier rectifier
charge coupling
breakdown voltage
stepped oxide
A MOSFET-based high voltage nanosecond pulse module for the gating of proximity-focused microchannel plate image-intensifier
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 卷号: 987
作者:
Fang, Yuman
;
Gou, Yongsheng
;
Zhang, Minrui
;
Wang, Junfeng
;
Tian, Jinshou
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2021/01/28
Image intensifier
ICCD camera
MOSFET switching
Ultrafast imaging
Nanosecond pulse generation
A Charge Density Model of Silicon-nanowire GAA MOSFET Incoroperating the Source-drian Tunneling Effect for IC Design
会议论文
OAI收割
Guilin, China, June 4-6, 2021
作者:
Cheng H(程贺)
;
Zhang C(张超)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Xie C(谢闯)
;
Yang ZJ(杨志家)
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2022/02/04
ballistic transport
compact model
integrated-cricuit design
sub-7 nm GAA MOSFET
the source-drain tunneling
Radiation Effects and Mechanisms on Switching Characteristics of Silicon Carbide Power MOSFETs
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 1423-1429
作者:
Feng, HN (Feng, Haonan) [1] , [2] , [3]
;
Yang, S (Yang, Sheng) [1] , [2] , [3]
;
Liang, XW (Liang, Xiaowen) [1] , [2] , [3]
;
Zhang, D (Zhang, Dan) [1] , [2] , [3]
;
Pu, XJ (Pu, Xiaojuan) [1] , [2] , [3]
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2022/03/24
SiC Power MOSFETs
Switching Characteristics
Total Ionizing Dose (TID) Effect
Static Characteristic
Parasitic Capacitance