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浏览/检索结果: 共62条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of Au electrode thickness on the performance of MgZnO UV detector 期刊论文  OAI收割 Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2015, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 200-205 作者:  Sun, H.-S.;  K.-W. Liu;  H.-Y. Chen;  M.-M. Fan;  X. Chen 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/08/24 Structures and optical characteristics of ingan quantum dots grown by mbe 期刊论文  iSwitch采集 Rare metal materials and engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 2030-2032 作者:  Wang Baozhu;  Yan Cuiying;  Wang Xiaoliang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Ingan  Quantum dot  Mbe   分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性 期刊论文  OAI收割 稀有金属材料与工程, 2011, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 2030-2032 作者:  王保柱 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2012/07/16 Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145 作者:  Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ   |  收藏  |  浏览/下载：86/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE  Cl  Pl  Stacking Fault  Hvpe  Gan  Nonpolar  Chemical-vapor-deposition  Acceptor Pair Emission  Phase Epitaxy  Grown Gan  Semiconductors  Sapphire  Films  Nitride   Hybrid beam deposition system and methods for fabricating metal oxide-ZnO films, p-type ZnO films, and ZnO-based II-VI compound semiconductor devices 专利  OAI收割 专利号: US7824955, 申请日期: 2010-11-02, 公开日期: 2010-11-02 作者:  WHITE, HENRY W.;  RYU, YUNGRYEL;  LEE, TAE-SEOK   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Chen GF (Chen Gui-Feng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Wang H (Wang Hui); Wang YT (Wang Yu-Tian); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：128/4  |  提交时间：2010/04/13 GaN  Si (111) substrate  metalorganic chemical vapour deposition  AlN buffer layer  AlGaN interlayer  : VAPOR-PHASE EPITAXY  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  ALXGA1-XN  FILM   Growing 20 cm Long DWNTs/TWNTs at a Rapid Growth Rate of 80-90 mu m/s 期刊论文  OAI收割 chemistry of materials, 22 (4): feb 23 2010, CHEMISTRY OF MATERIALS, 22 (4): FEB 23 2010, 2010, 2010, 卷号: 22, 22, 期号: 4, 页码: 1294-1296, 1294-1296 作者:  Wen Q (Wen Qian);  Zhang RF (Zhang Rufan);  Qian WZ (Qian Weizhong);  Wang YR (Wang Yuran);  Tan PH (Tan Pingheng)   |  收藏  |  浏览/下载：128/7  |  提交时间：2010/04/13 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  Chemical-vapor-deposition  Walled Carbon Nanotubes  Water  Ultralong  Catalysts  Mechanism  WALLED CARBON NANOTUBES  WATER  ULTRALONG  CATALYSTS  MECHANISM   Epitaxial growth of alingan quaternary alloys by rf-mbe 期刊论文  iSwitch采集 Journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 作者:  Wang Bao-Zhu;  Wang Xiao-Liang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Alingan  Rf-mbe  Structural properties  Optical properties   Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE 期刊论文  OAI收割 journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 Wang BZ; Wang XL 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/03/08 AlInGaN  RF-MBE  structural properties  optical properties   射频分子束外延生长AlInGaN四元合金 期刊论文  OAI收割 无机材料学报, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 作者:  王保柱 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/11/23