机构

• 西安光学精密机械研... [86]
• 半导体研究所 [7]
• 长春光学精密机械与物... [3]
• 福建物质结构研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [96]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 专利 [86]
• 期刊论文 [11]

发表日期

• 2011 [3]
• 2010 [1]
• 2001 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [3]
• 1998 [3]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共97条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Multilayer antireflection coating for triple junction solar cells 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4 作者:  Zhan Feng;  Wang Hai-Li;  He Ji-Fang;  Wang Juan;  Huang She-Song 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Influence of window layer thickness on double layer antireflection coating for triple junction solar cells 期刊论文  OAI收割 journal of semiconductors, Journal of Semiconductors, 2011, 2011, 卷号: 32, 32, 期号: 6, 页码: 66001, 66001 作者:  Wang, Lijuan;  Zhan, Feng;  Yu, Ying;  Zhu, Yan;  Liu, Shaoqing   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/06/14 Antireflection coatings  Coatings  Gallium  Optimization  Silicon compounds  Titanium dioxide  Transfer matrix method  Zinc sulfide  Antireflection Coatings  Coatings  Gallium  Optimization  Silicon Compounds  Titanium Dioxide  Transfer Matrix Method  Zinc Sulfide   Multilayer Antireflection Coating for Triple Junction Solar Cells 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 2011, 卷号: 28, 28, 期号: 4, 页码: article no.47802, Article no.47802 作者:  Zhan F;  Wang HL;  He JF;  Wang JA;  Huang SS   |  收藏  |  浏览/下载：59/3  |  提交时间：2011/07/05 Structural and optical properties of GaInP grown on germanium by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 12 W. He, S. L. Lu, J. R. Dong, Y. M. Zhao, X. Y. Ren, K. L. Xiong, B. Li, H. Yang, H. M. Zhu, X. Y. Chen and X. Kong 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/11/02 solar-cells  phase epitaxy  gaas/ge heterostructures  temperature-dependence  ga0.5in0.5p  photoluminescence  ga0.52in0.48p  disorder  movpe   半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3206160B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-04 作者:  石橋 明彦;  木戸口 勲;  大仲 清司   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3075728B2, 申请日期: 2000-06-09, 公开日期: 2000-08-14 作者:  本多 正治;  浜田 弘喜;  庄野 昌幸;  廣山 良治   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP1999307880A, 申请日期: 1999-11-05, 公开日期: 1999-11-05 作者:  高橋 孝志   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2913652B2, 申请日期: 1999-04-16, 公开日期: 1999-06-28 作者:  五明 明子   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2900706B2, 申请日期: 1999-03-19, 公开日期: 1999-06-02 作者:  石橋 明彦;  保科 順一;  木戸口 勲;  大仲 清司   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2847702B2, 申请日期: 1998-11-06, 公开日期: 1999-01-20 作者:  池田 昌夫;  中野 一志;  戸田 淳   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18