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• 西安光学精密机械研究... [7]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 衬底的分割方法 专利  OAI收割 专利号: CN100490191C, 申请日期: 2009-05-20, 公开日期: 2009-05-20 作者:  上田哲三;  上田大助   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 发光装置 专利  OAI收割 专利号: CN100472818C, 申请日期: 2009-03-25, 公开日期: 2009-03-25 作者:  油利正昭;  上田大助   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 窒化物半導体装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2008235396A, 申请日期: 2008-10-02, 公开日期: 2008-10-02 作者:  石田 昌宏;  古池 進;  上田 大助   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4057861B2, 申请日期: 2007-12-21, 公开日期: 2008-03-05 作者:  小野澤 和利;  上田 哲三;  上田 大助   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体装置及び基板の分割方法 专利  OAI收割 专利号: JP2005072575A, 申请日期: 2005-03-17, 公开日期: 2005-03-17 作者:  上田 哲三;  上田 大助   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体装置的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1485963A, 申请日期: 2004-03-31, 公开日期: 2004-03-31 作者:  小野泽和利;  上田哲三;  上田大助   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光装置および半導体基板 专利  OAI收割 专利号: JP2001345508A, 申请日期: 2001-12-14, 公开日期: 2001-12-14 作者:  高須賀 祥一;  中西 直樹;  山中 一彦;  中西 秀行;  上田 大助   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31