机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 2008 [1]
• 2007 [2]
• 2001 [2]
• 1999 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4079393B2, 申请日期: 2008-02-15, 公开日期: 2008-04-23 作者:  上田 吉裕   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 窒素化合物半導体膜の形成方法および窒素化合物半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP4005701B2, 申请日期: 2007-08-31, 公开日期: 2007-11-14 作者:  湯浅 貴之;  上田 吉裕   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2007189221A, 申请日期: 2007-07-26, 公开日期: 2007-07-26 作者:  伊藤 茂稔;  上田 吉裕;  湯浅 貴之;  種谷 元隆;  元木 健作   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 窒素化合物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2001156401A, 申请日期: 2001-06-08, 公开日期: 2001-06-08 作者:  荒木 正浩;  湯浅 貴之;  上田 吉裕;  小河 淳;  津田 有三   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3169917B2, 申请日期: 2001-03-16, 公开日期: 2001-05-28 作者:  中西 秀行;  浜田 健;  上田 大介;  ▲吉▼川 昭男;  清水 裕一   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2892812B2, 申请日期: 1999-02-26, 公开日期: 1999-05-17 作者:  中西 秀行;  浜田 健;  上田 大介;  ▲吉▼川 昭男;  清水 裕一   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13