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半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP3634458B2, 申请日期: 2005-01-07, 公开日期: 2005-03-30
作者:  上谷 ▲高▼弘;  庄野 昌幸
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半導体レーザ素子とその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3291431B2, 申请日期: 2002-03-22, 公开日期: 2002-06-10
作者:  ▲広▼山 良治;  上谷 ▲高▼弘;  太田 潔;  米田 幸司;  庄野 昌幸
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レ—ザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999346033A, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14
作者:  池上 隆俊;  上谷 高弘
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998012967A, 申请日期: 1998-01-16, 公开日期: 1998-01-16
作者:  上谷 ▲高▼弘;  ▲廣▼山 良治
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半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1997321385A, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1997-12-12
作者:  ▲広▼山 良治;  上谷 ▲高▼弘;  太田 潔;  米田 幸司;  庄野 昌幸
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1996264902A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11
作者:  庄野 昌幸;  上谷 ▲高▼弘;  別所 靖之;  ▲広▼山 良治;  西田 豊三
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