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III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN102934301B, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2014-10-22
作者:  高木慎平;  善积祐介;  片山浩二;  上野昌纪;  池上隆俊
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III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利  OAI收割
专利号: CN102668282B, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15
作者:  高木慎平;  善积祐介;  片山浩二;  上野昌纪;  池上隆俊
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III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01
作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  德山慎司
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III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利  OAI收割
专利号: CN102668279B, 申请日期: 2014-09-10, 公开日期: 2014-09-10
作者:  善积祐介;  高木慎平;  池上隆俊;  上野昌纪;  片山浩二
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18
氮化物半导体激光器以及外延基板 专利  OAI收割
专利号: CN103999305A, 申请日期: 2014-08-20, 公开日期: 2014-08-20
作者:  京野孝史;  盐谷阳平;  住友隆道;  善积祐介;  上野昌纪
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18
III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  德山慎司
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13
氮化物半导体发光元件及外延衬底 专利  OAI收割
专利号: CN102422496B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
作者:  京野孝史;  盐谷阳平;  秋田胜史;  上野昌纪;  善积祐介
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氮化物半导体发光元件 专利  OAI收割
专利号: CN103959580A, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2014-07-30
作者:  京野孝史;  盐谷阳平;  上野昌纪;  梁岛克典;  田才邦彦
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III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 专利  OAI收割
专利号: CN102763293B, 申请日期: 2014-07-23, 公开日期: 2014-07-23
作者:  高木慎平;  善积祐介;  片山浩二;  上野昌纪;  池上隆俊
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III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02
作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  秋田胜史
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