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• 西安光学精密机械研... [10]

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• 专利 [10]

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• 2010 [3]
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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2010056119A, 申请日期: 2010-03-11, 公开日期: 2010-03-11 作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  山口 恭司;  田才 邦彦;  中島 博   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP2010045165A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25 作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  玉村 好司;  田才 邦彦;  朝妻 庸紀   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2010040923A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18 作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  玉村 好司;  朝妻 庸紀   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 発光装置および画像出力装置 专利  OAI收割 专利号: JP2008244427A, 申请日期: 2008-10-09, 公开日期: 2008-10-09 作者:  内田 裕行;  長沼 香;  若林 和弥;  古川 昭夫;  滝口 幹夫   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30 レーザダイオード出力制御装置 专利  OAI收割 专利号: JP2002016315A, 申请日期: 2002-01-18, 公开日期: 2002-01-18 作者:  永野 雄介;  岩林 一也;  中島 範智;  伊藤 学;  北尻 正広   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2001345520A, 申请日期: 2001-12-14, 公开日期: 2001-12-14 作者:  中島 博;  橋本 茂樹;  朝妻 庸紀   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 高輝度発光半導体材料の作製方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000261100A, 申请日期: 2000-09-22, 公开日期: 2000-09-22 作者:  吉田 博;  中島 理志   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000164512A, 申请日期: 2000-06-16, 公开日期: 2000-06-16 作者:  奥山 浩之;  中村 文彦;  中島 博   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 高周波光電変換素子用パッケージ 专利  OAI收割 专利号: JP1995109899B2, 申请日期: 1995-11-22, 公开日期: 1995-11-22 作者:  水島 宜彦;  中嶋 和利;  廣畑 徹;  飯田 孝;  藁料 禎久   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体素子および半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2010016232A, 公开日期: 2010-01-21 作者:  岸野 克巳;  野村 一郎   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26