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浏览/检索结果: 共83条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 在降低的温度下制造的(Al、Ga、In)N二极管激光器 专利  OAI收割 专利号: CN102099976B, 申请日期: 2013-06-12, 公开日期: 2013-06-12 作者:  D·A·科恩;  S·P·邓巴尔思;  中村修二   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 在降低的温度下制造的(Al、Ga、In)N二极管激光器 专利  OAI收割 专利号: CN102099976B, 申请日期: 2013-06-12, 公开日期: 2013-06-12 作者:  D·A·科恩;  S·P·邓巴尔思;  中村修二   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 用于改良在非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上生长的(Ga,Al,In,B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构 专利  OAI收割 专利号: CN102473799A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23 作者:  罗伯特·M·法雷尔   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP4625998B2, 申请日期: 2010-11-19, 公开日期: 2011-02-02 作者:  小崎 徳也;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP4457417B2, 申请日期: 2010-02-19, 公开日期: 2010-04-28 作者:  川野 義弘;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 氮化物半导体衬底及器件 专利  OAI收割 专利号: CN100492687C, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27 作者:  清久裕之;  中村修二;  小崎德也;  岩佐成人;  蝶蝶一幸   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP4043087B2, 申请日期: 2007-11-22, 公开日期: 2008-02-06 作者:  小崎 徳也;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP4028635B2, 申请日期: 2007-10-19, 公开日期: 2007-12-26 作者:  長濱 慎一;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1845346A, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2006-10-11 作者:  中村修二;  山田孝夫;  妹尾雅之;  山田元量;  板东完治   |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP3857417B2, 申请日期: 2006-09-22, 公开日期: 2006-12-13 作者:  長濱 慎一;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13