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III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01
作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  德山慎司
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III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  德山慎司
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13
III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02
作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  秋田胜史
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26
GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 专利  OAI收割
专利号: CN103560396A, 申请日期: 2014-02-05, 公开日期: 2014-02-05
作者:  盐谷阳平;  善积祐介;  上野昌纪;  秋田胜史;  京野孝史
  |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18
生体情報分析装置、撮像装置、光源装置および生体情報分析装置の動作方法 专利  OAI收割
专利号: JP2014014485A, 申请日期: 2014-01-30, 公开日期: 2014-01-30
作者:  赤羽 良啓;  中村 孝夫;  松浦 尚;  池上 隆俊;  粟津 邦男
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31
III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN102422497B, 申请日期: 2013-09-18, 公开日期: 2013-09-18
作者:  盐谷阳平;  善积祐介;  京野孝史;  秋田胜史;  上野昌纪
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26
Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN101984774B, 申请日期: 2013-02-13, 公开日期: 2013-02-13
作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  秋田胜史
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氮化物类半导体光元件、用于氮化物类半导体光元件的外延晶片及制造半导体发光元件的方法 专利  OAI收割
专利号: CN101874309B, 申请日期: 2013-01-30, 公开日期: 2013-01-30
作者:  上野昌纪;  盐谷阳平;  京野孝史;  秋田胜史;  善积祐介
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Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法 专利  OAI收割
专利号: CN102714397A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03
作者:  善积祐介;  高木慎平;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽
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III族氮化物半导体元件、外延衬底及制作III族氮化物半导体元件的方法 专利  OAI收割
专利号: CN102474075A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23
作者:  盐谷阳平;  善积祐介;  京野孝史;  住友隆道;  秋田胜史
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