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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 窒化物系半導体素子、光装置および窒化物系半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2010206184A, 申请日期: 2010-09-16, 公开日期: 2010-09-16 作者:  三宅 泰人;  久納 康光;  畑 雅幸   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2010062245A, 申请日期: 2010-03-18, 公开日期: 2010-03-18 作者:  大保 広樹;  畑 雅幸;  別所 靖之;  久納 康光   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物系半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2009123939A, 申请日期: 2009-06-04, 公开日期: 2009-06-04 作者:  別所 靖之;  竹内 邦生;  久納 康光   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2008294421A, 申请日期: 2008-12-04, 公开日期: 2008-12-04 作者:  竹内 邦生;  久納 康光;  畑 雅幸   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物系半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2008294379A, 申请日期: 2008-12-04, 公开日期: 2008-12-04 作者:  久納 康光;  竹内 邦生   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2008252069A, 申请日期: 2008-10-16, 公开日期: 2008-10-16 作者:  畑 雅幸;  久納 康光;  別所 靖之   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30