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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 专利  OAI收割 专利号: JP2015149312A, 申请日期: 2015-08-20, 公开日期: 2015-08-20 作者:  住友 隆道;  高木 慎平   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31 III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  德山慎司   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 氮化物半导体激光器以及外延基板 专利  OAI收割 专利号: CN103999305A, 申请日期: 2014-08-20, 公开日期: 2014-08-20 作者:  京野孝史;  盐谷阳平;  住友隆道;  善积祐介;  上野昌纪   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  德山慎司   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 氮化物半导体发光元件及外延衬底 专利  OAI收割 专利号: CN102422496B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06 作者:  京野孝史;  盐谷阳平;  秋田胜史;  上野昌纪;  善积祐介   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  秋田胜史   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 III族氮化物半导体激光元件 专利  OAI收割 专利号: CN103620895A, 申请日期: 2014-03-05, 公开日期: 2014-03-05 作者:  住友隆道;  上野昌纪;  善积祐介;  吉田乔久;  足立真宽   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31 GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 专利  OAI收割 专利号: CN103560396A, 申请日期: 2014-02-05, 公开日期: 2014-02-05 作者:  盐谷阳平;  善积祐介;  上野昌纪;  秋田胜史;  京野孝史   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体激光器及外延基板 专利  OAI收割 专利号: CN103493316A, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014 作者:  京野孝史;  盐谷阳平;  住友隆道;  善积祐介   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102422497B, 申请日期: 2013-09-18, 公开日期: 2013-09-18 作者:  盐谷阳平;  善积祐介;  京野孝史;  秋田胜史;  上野昌纪   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26