机构

• 西安光学精密机械研究... [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [8]

发表日期

• 2012 [1]
• 2011 [1]
• 2009 [5]
• 2007 [1]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光器装置 专利  OAI收割 专利号: CN101599617B, 申请日期: 2012-11-21, 公开日期: 2012-11-21 作者:  高山彻;  早川功一;  佐藤智也;  佐佐木正隼;  木户口勋   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/13 氮化物半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN102130424A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 作者:  佐藤智也;  中森达哉;  冈口贵大;  高山彻;  长谷川义晃   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2009283511A, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03 作者:  佐藤 智也;  高山 徹;  粂 雅博;  木戸口 勲   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光器装置 专利  OAI收割 专利号: CN101582564A, 申请日期: 2009-11-18, 公开日期: 2009-11-18 作者:  高山彻;  永井洋希;  佐藤仁;  佐藤智也;  木户口勋   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18 双波长半导体激光器装置 专利  OAI收割 专利号: CN101533991A, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 2009-09-16 作者:  早川功二;  高山彻;  粂雅博;  佐藤智也;  木户口勋   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN101490915A, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22 作者:  佐藤智也;  高山彻;  早川功一;  木户口勋   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光器装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101359806A, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04 作者:  高山彻;  佐藤智也;  木户口勋   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 光分岐モジュール及び信号処理装置 专利  OAI收割 专利号: JP2007057686A, 申请日期: 2007-03-08, 公开日期: 2007-03-08 作者:  岡田 純二;  小関 忍;  木島 勝;  大谷 修;  黒石 範彦   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18