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FRD的制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN201210371807.7, 申请日期: 2018-07-06, 公开日期: 2014-04-09
作者:  喻巧群;  吴振兴;  朱阳军;  谈景飞;  胡爱斌
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/07
一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN201310085624.3, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2014-06-04
作者:  喻巧群;  朱阳军;  卢烁今;  吴振兴;  田晓丽
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/03/07
沟槽栅场截止型绝缘栅双极晶体管（FS TIGBT)关键共性设计技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院大学, 2018
作者:  喻巧群
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2018/09/05
一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN201310086262.X, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2014-06-04
作者:  喻巧群;  朱阳军;  卢烁今;  田晓丽
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/03/07
Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance 期刊论文  OAI收割
Chin. Phys. B, 2017
作者:  Li B(李博)
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/05/16
Pressure-Free Phenomenon in Top Layer of Chip Body Under Local Pressure and Design of Channel-Free Flat-Packaged IGBT 期刊论文  OAI收割
IEEE Electron Device Letters, 2014
作者:  Yu QQ(喻巧群);  Teng Y(腾渊);  Zhu YJ(朱阳军);  Zhang WL(张文亮)
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2015/05/06
一种TI-IGBT器件 专利  OAI收割
申请日期: 2013-01-01,
作者:  张文亮;  喻巧群;  田晓丽;  朱阳军
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/02/07
一种适用于dummy-trench功率器件的版图 专利  OAI收割
申请日期: 2012-12-18,
作者:  胡爱斌;  褚为利;  朱阳军;  田晓丽;  喻巧群
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/09/29
用于半导体功率器件的终端 专利  OAI收割
申请日期: 2012-09-28,
作者:  喻巧群;  陆江;  吴振兴;  田晓丽;  褚为利
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/09/13