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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A CMOS variable gain LNA for UWB receivers 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors., 2011, 卷号: 32, 期号: 2 Chen, Feihua; Li, Lingyun; Duo, Xinzhong; Tian, Tong; Sun, XW 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/08/23 一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA 期刊论文  OAI收割 电子与信息学报, 2010, 期号: 11 谌斐华; 多新中; 孙晓玮 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/01/06 接收机  低噪声放大器  混频器  RFCMOS  超宽带   具有片上巴伦的CMOS超宽带接收机 期刊论文  OAI收割 电子设计应用, 2009, 期号: 01 林水洋; 孙晓玮; 陈威; 多新中; 梅年松; 叶祖勋; 杨立吾; 于永学 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/01/06 目标跟踪  无线传感器网络  粒子滤波器  能量有效  鲁棒性   十二位SOI/CMOS数模转换器的研制 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2002, 期号: 01 范秀强; 张正番; 刘永光; 多新中; 张苗; 王连卫; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/29 硅中H+ He+离子注入引起的物理效应与SOI高速度传感器的研制 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2001 多新中 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2012/03/06 硅集成电路  SOI技术  离子注入  物理效应  加速度传感器   一种低剂量注氧制作绝缘层上硅(SOI)电路的器件工艺 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN1279505, 申请日期: 2001-01-01, 公开日期: 2001-01-10 王连卫; 林成鲁; 张苗; 范秀强; 多新中 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/10 以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法 成果  OAI收割 鉴定: 无, 2001 林成鲁; 张苗; 王连卫; 黄继颇; 多新中 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2013/04/12 超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅 期刊论文  OAI收割 功能材料, 2001, 期号: 06 刘卫丽; 多新中; 张苗; 沈勤我; 王连卫; 林成鲁; 朱剑豪 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 多孔硅  超高真空电子束蒸发  外延  单晶硅   离子束增强沉积AlN薄膜的研究 期刊论文  OAI收割 压电与声光, 2001, 期号: 05 门传玲; 徐政; 郑志宏; 多新中; 张苗; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 离子束增强沉积  AlN  SOI   多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2001, 期号: 04 刘卫丽; 多新中; 张苗; 沈勤我; 王连卫; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 绝缘体上的硅  多孔硅  外延