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采集方式

• OAI收割 [21]

内容类型

• 专利 [11]
• 期刊论文 [5]
• 成果 [3]
• 会议论文 [1]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2009 [1]
• 2008 [5]
• 2007 [7]
• 2006 [5]
• 2005 [1]
• 2004 [2]
• 更多

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种Ⅲ族氮化物材料的生长方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101428752, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 2009-05-13 陈静; 王曦; 孙佳胤; 武爱民 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/01/06 发光二极管的制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101304063, 申请日期: 2008-11-12, 公开日期: 2008-11-12 陈静; 孙佳胤; 王曦 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/01/06 用于MEMS微机械加工的多层绝缘体上的硅材料及方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101110428, 申请日期: 2008-01-23, 公开日期: 2008-01-23 武爱民; 陈静; 孙佳胤; 王曦 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101106161, 申请日期: 2008-01-16, 公开日期: 2008-01-16 王曦; 孙佳胤; 陈静; 武爱民; 欧欣 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/06 用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN101106161A, 申请日期: 2008-01-16, 公开日期: 2008-01-16 作者:  王曦;  孙佳胤;  陈静;  武爱民;  欧欣   |  收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2020/01/18 SOI基GaN生长中热应力的模拟计算分析 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2008, 期号: 06 杨志峰; 陈静; 孙佳胤; 武爱民; 王曦 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2012/01/06 InP  异质结晶体管  聚酰亚胺  平坦化   采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101005110, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2007-07-25 欧欣; 王曦; 陈静; 孙佳胤; 武爱民 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2012/01/06 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料 成果  OAI收割 鉴定: 无, 2007 孙佳胤; 陈静; 王曦 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/04/12 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法 成果  OAI收割 鉴定: 无, 2007 张恩霞; 张正选; 王曦; 孙佳胤; 钱聪; 贺威 收藏  |  浏览/下载：129/0  |  提交时间：2013/04/12 新型硅基GaN外延材料的热应力模拟 会议论文  OAI收割 第六届中国功能材料及其应用学术会议, 2007 王曦; 孙佳胤; 武爱民; 陈静; 王曦 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/01/18 氮化镓 宽禁带半导体材料 SOI衬底 热膨胀系数 反应离子刻蚀