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SEU sensitivity and large spacing TMR efficiency of Kintex-7 and Virtex-7 FPGAs
期刊论文
OAI收割
SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2022, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 2
作者:
Cai, Chang
;
Ning, Bingxu
;
Fan, Xue
;
Liu, Tianqi
;
Ke, Lingyun
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提交时间:2021/12/09
Design and verification of multiple SEU mitigated circuits on SRAM-based FPGA system
期刊论文
OAI收割
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 7
作者:
Yu, Jian
;
Cai, Chang
;
Ning, Bingxu
;
Gao, Shuai
;
Liu, Tianqi
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2022/01/24
Heavy ions
Irradiation
Hardened
Single event upset
Measurement and evaluation of the Single Event Effects of high-performance SerDes circuits
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 卷号: 1012, 页码: 11
作者:
Wang, Shu
;
Cai, Chang
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2021/12/08
SerDes
SRAM-based FPGA
Single Event Upset
Single Event Functional Interrupt
Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors
期刊论文
OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ]
;
Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ]
;
Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ]
;
Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]
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提交时间:2019/05/14
Back-gate biasing
forward body bias (FBB)
total ionizing dose (TID)
ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)
Anomalous electrical properties induced by hot-electron-injection in 130-nm partially depleted soi nmosfets fabricated on modified wafer
期刊论文
iSwitch采集
Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 2731-2737
作者:
Dai, Lihua
;
Bi, Dawei
;
Ning, Bingxu
;
Hu, Zhiyuan
;
Song, Lei
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2019/05/09
Buried oxide
Interface trap
Silicon ion implantation
Soi nmosfets
Total dose radiation
一种多频点生物电阻抗快速获取方法
专利
OAI收割
专利号: 201410368135.3, 申请日期: 2016-01-01,
作者:
王远
;
徐玉兵
;
余洪龙
;
刘冰
;
马彪彪
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提交时间:2020/10/21
一种智能化健身指导系统及其闭环指导方法
专利
OAI收割
专利号: CN 104091080 A, 申请日期: 2014-01-01,
作者:
曹庆庆
;
赵赫
;
李晓风
;
张中贤
;
王卫东
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浏览/下载:96/0
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提交时间:2016/01/07
深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2012, 期号: 5, 页码: 92-96
胡志远
;
刘张李
;
邵华
;
张正选
;
宁冰旭
;
毕大炜
;
陈明
;
邹世昌
收藏
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提交时间:2013/02/22
总剂量效应
浅沟槽隔离
氧化层陷阱正电荷
金属氧化物半导体场效晶体管
煤火释放气体影响区域模拟
期刊论文
OAI收割
煤炭学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1698-1704
张春燕
;
郭杉
;
关燕宁
;
孔冰
;
武建军
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李加洪
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马建伟
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段红巍
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蔡丹路
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安旭东
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康利花
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提交时间:2015/01/05
煤火
释放气体
影响区域
GIS
高斯烟羽模型
用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN102104048A, 申请日期: 2011-06-22, 公开日期: 2011-06-22
陈静
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罗杰馨
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宁冰旭
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薛忠营
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肖德元
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王曦
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提交时间:2012/01/06