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SEU sensitivity and large spacing TMR efficiency of Kintex-7 and Virtex-7 FPGAs 期刊论文  OAI收割
SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2022, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 2
作者:  
Cai, Chang;  Ning, Bingxu;  Fan, Xue;  Liu, Tianqi;  Ke, Lingyun
  |  收藏  |  浏览/下载:50/0  |  提交时间:2021/12/09
Design and verification of multiple SEU mitigated circuits on SRAM-based FPGA system 期刊论文  OAI收割
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 7
作者:  
Yu, Jian;  Cai, Chang;  Ning, Bingxu;  Gao, Shuai;  Liu, Tianqi
  |  收藏  |  浏览/下载:48/0  |  提交时间:2022/01/24
Measurement and evaluation of the Single Event Effects of high-performance SerDes circuits 期刊论文  OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 卷号: 1012, 页码: 11
作者:  
Wang, Shu;  Cai, Chang
  |  收藏  |  浏览/下载:45/0  |  提交时间:2021/12/08
Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文  OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709
作者:  
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]
  |  收藏  |  浏览/下载:116/0  |  提交时间:2019/05/14
Anomalous electrical properties induced by hot-electron-injection in 130-nm partially depleted soi nmosfets fabricated on modified wafer 期刊论文  iSwitch采集
Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 2731-2737
作者:  
Dai, Lihua;  Bi, Dawei;  Ning, Bingxu;  Hu, Zhiyuan;  Song, Lei
收藏  |  浏览/下载:62/0  |  提交时间:2019/05/09
一种多频点生物电阻抗快速获取方法 专利  OAI收割
专利号: 201410368135.3, 申请日期: 2016-01-01,
作者:  
王远;  徐玉兵;  余洪龙;  刘冰;  马彪彪
  |  收藏  |  浏览/下载:58/0  |  提交时间:2020/10/21
一种智能化健身指导系统及其闭环指导方法 专利  OAI收割
专利号: CN 104091080 A, 申请日期: 2014-01-01,
作者:  
曹庆庆;  赵赫;  李晓风;  张中贤;  王卫东
收藏  |  浏览/下载:96/0  |  提交时间:2016/01/07
深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2012, 期号: 5, 页码: 92-96
胡志远; 刘张李; 邵华; 张正选; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌
收藏  |  浏览/下载:48/0  |  提交时间:2013/02/22
煤火释放气体影响区域模拟 期刊论文  OAI收割
煤炭学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1698-1704
张春燕; 郭杉; 关燕宁; 孔冰; 武建军; 李加洪; 马建伟; 段红巍; 蔡丹路; 安旭东; 康利花
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2015/01/05
用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN102104048A, 申请日期: 2011-06-22, 公开日期: 2011-06-22
陈静; 罗杰馨; 伍青青; 宁冰旭; 薛忠营; 肖德元; 王曦
收藏  |  浏览/下载:60/0  |  提交时间:2012/01/06