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浏览/检索结果: 共38条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 重大专项政策对集成电路产业创新影响 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2012, 期号: 1, 页码: 9-12 宋朝瑞; 郑惠强; 赵宇航; 赵建忠; 陈强 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/02/22 国家科技重大专项  集成电路产业  创新管理  产学研合作  产业政策   薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2012, 期号: 4, 页码: 254-257 王中健; 夏超; 徐大伟; 程新红; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2013/02/22 绝缘体上硅  横向扩散金属氧化物半导体  击穿电压  线性渐变掺杂  注氧键合   基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN102254821A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23 程新红; 徐大伟; 王中健; 夏超; 曹铎; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/01/06 沉积栅介质的方法、制备MIS电容的方法及MIS电容 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN102226270A, 申请日期: 2011-10-26, 公开日期: 2011-10-26 程新红; 徐大伟; 王中健; 夏超; 何大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/01/06 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN102130176A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN102130012A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2012/01/06 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN102130013A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2012/01/06 一种基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101950758A, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19 程新红; 徐大伟; 王中健; 何大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101950757A, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19 程新红; 徐大伟; 王中健; 何大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 SiGe上NbAlO栅介质薄膜微结构和电学性能分析 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2011, 期号: 01 宋朝瑞; 程新红; 何大伟; 徐大伟 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/04/13 NbAlO栅介质  价带偏移  超晶格