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• 西安光学精密机械研... [13]
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发表日期

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 激发态~(17)Ne双质子2p发射的实验 期刊论文  OAI收割 中国原子能科学研究院年报, 2009, 卷号: 2008, 期号: 00, 页码: 102-103 贾飞; 林承键; 张焕乔; 杨峰; 贾会明; 徐新星; 吴振东; 刘祖华; 张高龙; 张春雷; 詹文龙; 肖国清; 徐瑚珊; 王建松; 孙志宇; 王猛; 雷相国; 张雪荧; 胡正国; 张宏斌; 徐治国; 陈若富; 黄天衡; 章学恒; 高启; 郑川; 杨彦云; 岳柯; 涂小林; 张亚鹏; 唐彬   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/10/29 硅探测器:4060  运动学:3586  探测器阵列:3530  完全测量:3335  质子发射:3132  放射性束流:2938  近代物理研究所:2920  中国科学院:2864  实验:2463  粒子鉴别:2409   超重复合核的存活概率 期刊论文  OAI收割 原子核物理评论, 2007, 卷号: 2007, 期号: 03, 页码: 190-194 贾飞; 岳柯; 涂小林; 杨彦云; 张宏斌; 徐瑚珊; 李君清   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 超重元素  存活概率  裂变位垒  中子蒸发宽度  裂变宽度   発光半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP3710559B2, 申请日期: 2005-08-19, 公开日期: 2005-10-26 作者:  山本 剛之;  小林 宏彦;  荻田 省一   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 光半導体装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3548986B2, 申请日期: 2004-04-30, 公开日期: 2004-08-04 作者:  小林 宏彦;  雙田 晴久;  江川 満;  岡崎 二郎;  荻田 省一   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 光半導体装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3306688B2, 申请日期: 2002-05-17, 公开日期: 2002-07-24 作者:  山崎 進;  江川 満;  藤井 卓也;  雙田 晴久;  小林 宏彦   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 光半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP3281239B2, 申请日期: 2002-02-22, 公开日期: 2002-05-13 作者:  山本 剛之;  小林 宏彦;  江川 満;  藤井 卓也   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000036638A, 申请日期: 2000-02-02, 公开日期: 2000-02-02 作者:  小林 宏彦;  山本 剛之;  小路 元;  鈴木 信也   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 光半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999026874A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29 作者:  小林 宏彦;  山本 剛之   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 光半導体装置のマーカ形成方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998256664A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25 作者:  小林 宏彦;  荻田 省一   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 光半導体装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998117038A, 申请日期: 1998-05-06, 公开日期: 1998-05-06 作者:  小林 宏彦;  小滝 裕二   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13