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机构
西安光学精密机械研... [15]
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OAI收割 [15]
内容类型
专利 [15]
发表日期
2010 [1]
2008 [1]
2005 [1]
2004 [1]
2003 [1]
2002 [1]
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半導体レーザ素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2010098069A, 申请日期: 2010-04-30, 公开日期: 2010-04-30
作者:
小野 健一
;
綿谷 力
;
花巻 吉彦
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提交时间:2020/01/18
光量制御装置、光書き込み装置及び画像形成装置
专利
OAI收割
专利号: JP2008218720A, 申请日期: 2008-09-18, 公开日期: 2008-09-18
作者:
大出 俊夫
;
小野 健一
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2005353654A, 申请日期: 2005-12-22, 公开日期: 2005-12-22
作者:
小野 健一
;
竹見 政義
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2004207682A, 申请日期: 2004-07-22, 公开日期: 2004-07-22
作者:
竹見 政義
;
小野 健一
;
花巻 吉彦
;
綿谷 力
;
八木 哲哉
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提交时间:2020/01/13
画像形成装置
专利
OAI收割
专利号: JP3448137B2, 申请日期: 2003-07-04, 公开日期: 2003-09-16
作者:
林 善紀
;
山川 健志
;
真間 孝
;
金井 英俊
;
小野 健一
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提交时间:2020/01/13
半導體雷射裝置及其製造方法
专利
OAI收割
专利号: TW507406B, 申请日期: 2002-10-21, 公开日期: 2002-10-21
作者:
宮下宗治
;
佐佐木素子
;
小野 健一
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP1999026880A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
作者:
小野 健一
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2827605B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
作者:
小野 健一
;
山下 光二
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ,およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998209556A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
作者:
木村 達也
;
小野 健一
;
竹見 政義
;
宮下 宗治
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提交时间:2020/01/18
光半導体装置
专利
OAI收割
专利号: JP1998079554A, 申请日期: 1998-03-24, 公开日期: 1998-03-24
作者:
元田 隆
;
小野 健一
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提交时间:2020/01/13