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窒化物半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2009272531A, 申请日期: 2009-11-19, 公开日期: 2009-11-19
作者:  森 孝嘉;  山中 通成
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2009016389A, 申请日期: 2009-01-22, 公开日期: 2009-01-22
作者:  山中 通成
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザとその評価方法および半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2008192765A, 申请日期: 2008-08-21, 公开日期: 2008-08-21
作者:  山中 通成
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半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2008060248A, 申请日期: 2008-03-13, 公开日期: 2008-03-13
作者:  吉川 兼司
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半導體雷射裝置及其製造方法 专利  OAI收割
专利号: TW200723622A, 申请日期: 2007-06-16, 公开日期: 2007-06-16
作者:  細井浩行;  牧田幸治;  山中通成
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半導体装置の損傷評価方法および製造方法と、半導体装置の損傷評価装置 专利  OAI收割
专利号: JP2007227863A, 公开日期: 2007-09-06
作者:  山中 通成
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