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• 西安光学精密机械研... [12]
• 武汉岩土力学研究所 [3]

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導體光元件、半導體光積體元件及半導體光元件的製造方法 专利  OAI收割 专利号: TWI671967B, 申请日期: 2019-09-11, 公开日期: 2019-09-11 作者:  山口勉;  佐久間仁;  尾上和之   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 半導體光元件、半導體光積體元件及半導體光元件的製造方法 专利  OAI收割 专利号: TWI671967B, 申请日期: 2019-09-11, 公开日期: 2019-09-11 作者:  山口勉;  佐久間仁;  尾上和之   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 光半导体装置的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN110050396A, 申请日期: 2019-07-23, 公开日期: 2019-07-23 作者:  山口勉   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 电极图形以及引线接合方法 专利  OAI收割 专利号: CN101272034B, 申请日期: 2010-09-29, 公开日期: 2010-09-29 作者:  久义浩;  山口勉;  田中秀幸;  松尾和则   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 电极图形以及引线接合方法 专利  OAI收割 专利号: CN101272034B, 申请日期: 2010-09-29, 公开日期: 2010-09-29 作者:  久义浩;  山口勉;  田中秀幸;  松尾和则   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2010016281A, 申请日期: 2010-01-21, 公开日期: 2010-01-21 作者:  多田 仁史;  山口 勉;  川津 善平;  大倉 裕二   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN101588020A, 申请日期: 2009-11-25, 公开日期: 2009-11-25 作者:  山口勉;  西田武弘;  大仓裕二;  高濑祯   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体发光装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101447640A, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 2009-06-03 作者:  山口勉;  田代贺久;  森健三;  坂本博夫;  西田武弘   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体发光装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101350500A, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21 作者:  久义浩;  山口勉;  西田武弘;  平松健司   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光器装置 专利  OAI收割 专利号: CN100446361C, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2008-12-24 作者:  西田武弘;  山口勉;  宫下宗治   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13