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• 西安光学精密机械研究... [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [8]

发表日期

• 2010 [2]
• 2009 [3]
• 2006 [2]
• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 集成型半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101826703A, 申请日期: 2010-09-08, 公开日期: 2010-09-08 作者:  伊豆博昭;  山口勤;  大保广树;  广山良治;  畑雅幸   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 氮化物系半导体元件的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1913104B, 申请日期: 2010-05-12, 公开日期: 2010-05-12 作者:  户田忠夫;  山口勤;  畑雅幸;  野村康彦   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN100461564C, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-02-11 作者:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光器装置和它的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100459333C, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04 作者:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光器装置和它的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100459333C, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04 作者:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1841864A, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2006-10-04 作者:  山口勤;  畑雅幸;  狩野隆司;  庄野昌幸;  大保广树   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 集成型半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1753261A, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2006-03-29 作者:  伊豆博昭;  山口勤;  大保广树;  广山良治;  畑雅幸   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 集成型半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1677779A, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2005-10-05 作者:  野村康彦;  别所靖之;  畑雅幸;  山口勤   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18