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• 西安光学精密机械研究... [7]

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• 专利 [7]

发表日期

• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [1]
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• 1996 [1]
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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100405619C, 申请日期: 2008-07-23, 公开日期: 2008-07-23 作者:  佐野雅彦;  野中满宏;  镰田和美;  山本正司   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18 作者:  板谷 和彦;  山本 雅裕;  小野村 正明;  藤本 英俊;  波多腰 玄一   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3129973B2, 申请日期: 2000-11-17, 公开日期: 2001-01-31 作者:  河西 秀典;  森本 泰司;  兼岩 進治;  林 寛;  宮内 伸幸   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999026873A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29 作者:  山本 三郎;  森本 泰司;  佐々木 和明;  近藤 正樹   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2821150B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-11-05 作者:  山本 三郎;  森本 泰司;  佐々木 和明;  近藤 正樹   |  收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1996213696A, 申请日期: 1996-08-20, 公开日期: 1996-08-20 作者:  山本 三郎;  森本 泰司;  佐々木 和明;  近藤 正樹   |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995109926B2, 申请日期: 1995-11-22, 公开日期: 1995-11-22 作者:  近藤 正樹;  佐々木 和明;  森本 泰司;  松本 晃広;  細羽 弘之   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2020/01/18