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机构
西安光学精密机械研... [15]
采集方式
OAI收割 [15]
内容类型
专利 [15]
发表日期
2012 [1]
2010 [2]
2009 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [1]
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被測定物内の成分濃度の測定装置
专利
OAI收割
专利号: JP2012148034A, 申请日期: 2012-08-09, 公开日期: 2012-08-09
作者:
岸上 勝博
;
島野 健
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提交时间:2019/12/31
半導体素子
专利
OAI收割
专利号: JP2010045165A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25
作者:
岸野 克巳
;
野村 一郎
;
玉村 好司
;
田才 邦彦
;
朝妻 庸紀
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提交时间:2020/01/13
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP2010040923A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
作者:
岸野 克巳
;
野村 一郎
;
田才 邦彦
;
玉村 好司
;
朝妻 庸紀
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提交时间:2020/01/18
対物レンズユニット、対物レンズアクチュエータモジュール
专利
OAI收割
专利号: JP2009176348A, 申请日期: 2009-08-06, 公开日期: 2009-08-06
作者:
島野 健
;
金井 友範
;
向尾 将樹
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP2007103403A, 申请日期: 2007-04-19, 公开日期: 2007-04-19
作者:
内田 陽三
;
中島 健二
;
口野 啓史
;
河本 清時
;
中西 寿美代
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ及びその製造方法。
专利
OAI收割
专利号: JP2006351784A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
作者:
内田 陽三
;
中島 健二
;
河本 清時
;
口野 啓史
;
中西 寿美代
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提交时间:2019/12/31
半導體雷射模組應用裝置
专利
OAI收割
专利号: TWI237254B, 申请日期: 2005-08-01, 公开日期: 2005-08-01
作者:
立野 公男
;
德田正秀
;
木村 茂治
;
島野健
;
佐野 博久
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提交时间:2019/12/24
光デバイスの実装方法及び光ヘッド装置
专利
OAI收割
专利号: JP2003229627A, 申请日期: 2003-08-15, 公开日期: 2003-08-15
作者:
徳田 正秀
;
立野 公男
;
佐野 博久
;
島野 健
;
木村 茂治
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提交时间:2019/12/31
レーザモジュールおよび光情報処理装置
专利
OAI收割
专利号: JP2002246699A, 申请日期: 2002-08-30, 公开日期: 2002-08-30
作者:
島野 健
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提交时间:2019/12/31
集積光ヘッド装置
专利
OAI收割
专利号: JP2002025104A, 申请日期: 2002-01-25, 公开日期: 2002-01-25
作者:
立野 公男
;
徳田 正秀
;
島野 健
;
中村 滋
;
有川 康之
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提交时间:2019/12/31