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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

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氮化物类发光元件 专利  OAI收割
专利号: CN109075530A, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-12-21
作者:  高山彻;  中谷东吾;  狩野隆司;  左文字克哉
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18
半导体发光元件及发光装置 专利  OAI收割
专利号: CN103314488A, 申请日期: 2013-09-18, 公开日期: 2013-09-18
作者:  萩野裕幸;  左文字克哉
  |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/18
半导体激光装置及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101939881A, 申请日期: 2011-01-05, 公开日期: 2011-01-05
作者:  左文字克哉;  川口真生;  春日井秀纪
  |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2010098238A, 申请日期: 2010-04-30, 公开日期: 2010-04-30
作者:  左文字 克哉;  小野澤 和利;  春日井 秀紀;  梶谷 亮
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2009277919A, 申请日期: 2009-11-26, 公开日期: 2009-11-26
作者:  左文字 克哉
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2009081373A, 申请日期: 2009-04-16, 公开日期: 2009-04-16
作者:  左文字 克哉;  山田 篤志;  石田 昌宏
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2008277492A, 申请日期: 2008-11-13, 公开日期: 2008-11-13
作者:  山田 篤志;  大野 啓;  左文字 克哉
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13