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浏览/检索结果: 共47条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 EXPERIMENTAL STUDY ON THE INFLUENCE OF PORE STRUCTURES AND DIAGENESIS ON THE PETROPHYSICAL PROPERTIES OF TIGHT SANDSTONE RESERVOIRS 期刊论文  OAI收割 FRESENIUS ENVIRONMENTAL BULLETIN, 2022, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 2871-2880 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2022/09/21 Tight sandstone reservoirs  mercury injection  flakes  physical property testing  pore structure   Abnormal Traffic Detection of Industrial Edge Network Based on Deep Nature Learning 会议论文  OAI收割 Dublin, Ireland, July 19-23, 2021 作者:  Liu Q(刘琦);  Zhang BW(张博文);  Zhao JM(赵剑明);  Zang CZ(臧传治);  Wang, Xibo   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2021/08/21 Industrial edge network  Abnormal flow detection  Deep learning  Convolutional Neural Network   Bipolar Analog Memristors as Artificial Synapses for Neuromorphic Computing 期刊论文  OAI收割 Materials, 2018 作者:  Wang R(王睿);  Shi T(时拓);  Zhang XM(张续猛);  Wang W(王伟);  Wei JS(魏劲松)   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/04/18 A Compact Model for Drift and Diffusion Memristor Applied in Neuron in circuit design 期刊论文  OAI收割 IEEE transactions on electron devices, 2018 作者:  Zhao Y(赵莹);  Fang C(方聪);  Zhang XM(张续猛);  Gong TC(龚天成);  Xu XX(许晓欣)   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/04/18 C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3 期刊论文  OAI收割 AIP Advances, 2018 作者:  Xue HW(薛惠文);  Dong H(董航);  Mu WX(穆文祥);  Hu Y(胡媛);  He QM(何启鸣)   |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2019/04/18 Effects of Capping Electrode on Ferroelectric Properties of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018 作者:  Cao RR(曹荣荣);  Wang Y(王艳);  Zhao SJ(赵盛杰);  Yang Y(杨阳);  Zhao XL(赵晓龙)   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/04/10 Modulating 3D memristor synapse by analog spiking pulses for bioinspired neuromorphic computing 期刊论文  OAI收割 SCIENCE CHINA, 2018 作者:  Liu Q(刘琦);  Zhang XM(张续猛);  Luo Q(罗庆);  Zhao XL(赵晓龙);  Lv HB(吕杭炳)   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/04/10 Full imitation of synaptic metaplasticity based on memristor devices 期刊论文  OAI收割 Nanoscale, 2018 作者:  Wu QT(吴全潭);  Luo Q(罗庆);  Writam Banerjee;  Cao JC(曹劲琛);  Zhang XM(张续猛)   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/04/12 Breaking the Current-Retention Dilemma in Cation-Based Resistive Switching Devices Utilizing Graphene with Controlled Defects 期刊论文  OAI收割 Advanced Materials, 2018 作者:  Zhao XL(赵晓龙);  Liu Q(刘琦);  Liu S(刘森);  Niu JB(牛洁斌);  Zhang XM(张续猛)   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/04/10 An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018 作者:  Zhang XM(张续猛);  Wang W(王伟);  Liu Q(刘琦);  Zhao XL(赵晓龙);  Wei JS(魏劲松)   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/04/10