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高剂量离子注入的物理效应与计算机模拟 期刊论文  OAI收割
微电子学与计算机, 1995, 期号: 02
林成鲁; 施左宇
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2012/03/29
高剂量离子注入的物理效应与计算机模拟 期刊论文  OAI收割
微电子学与计算机, 1995, 期号: 02
林成鲁; 施左宇
收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2012/03/30
离子束合成SOI材料分析与器件工艺研究 学位论文  OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院(上海冶金研究所)  , 1994
施左宇
收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2012/03/06
25keV AS~+大倾斜角注入的损伤分析 期刊论文  OAI收割
核技术, 1994, 期号: 07
何治平; 周祖尧; 关安民; 朱文玉; 江炳尧; 施左宇; 林成鲁; 钱佑华; 陈良尧; 苏毅
收藏  |  浏览/下载:31/0  |  提交时间:2012/03/29
离子注入形成SIMOX与SIMNI结构的计算机模拟 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 1994, 期号: 01
施左宇; 林成鲁; 朱文化; 邹世昌
收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2012/03/29
离子注入形成AIN埋层的分析与计算机模拟 期刊论文  OAI收割
功能材料, 1993, 期号: 03
施左宇; 林成鲁; 朱文化; U.Bussmann; P.L.F.Hemment; 邹世昌
收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2012/03/29
SOI上分子束外延GaAs的结构与光学性质研究 会议论文  OAI收割
首届中国功能材料及其应用学术会议论文集, 1992
朱文化; 施左宇; 杨云洁; 林成鲁
收藏  |  浏览/下载:46/0  |  提交时间:2012/01/18
退火温度对SOI材料与器件性能的影响 期刊论文  OAI收割
固体电子学研究与进展, 1992, 期号: 03
施左宇; 林成鲁; 朱文化; 邹世昌; 李金华
收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2012/03/29
SOI中砷注入退火研究 会议论文  OAI收割
首届中国功能材料及其应用学术会议论文集, 1992
施左宇; 朱文化; 杨云洁; 林成鲁
收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2012/01/18