中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
微电子研究所 [38]
采集方式
OAI收割 [38]
内容类型
专利 [18]
期刊论文 [11]
会议论文 [9]
发表日期
2018 [4]
2017 [4]
2016 [3]
2015 [3]
2014 [2]
2013 [1]
更多
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共38条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique
会议论文
OAI收割
作者:
Li YY(李洋洋)
;
Li XJ(李晓静)
;
Li B(李博)
;
Gao LC(高林春)
;
Yan WW(闫薇薇)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2019/05/09
Experimental study of single event transient characteristics on PDSOI CMOS inverter chain by pulse laser irradiation
会议论文
OAI收割
作者:
Bo Mei
;
Qingkui Yu
;
Hongwei Zhang
;
Tang Min
;
Zhao X(赵星)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2019/05/10
Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler–Nordheim tunneling stress using the DCIV method
期刊论文
OAI收割
Applied Physics A, 2018
作者:
Wang RH(王瑞恒)
;
Ceng CB(曾传滨)
;
Li XJ(李晓静)
;
Han ZS(韩郑生)
;
Luo JJ(罗家俊)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/03/27
DCIV 技术提取辐照前后 PDSOI 器件背栅界面态密度
期刊论文
OAI收割
微电子学与计算机, 2018
作者:
李晓静
;
韩郑生
;
罗家俊
;
高林春
;
曾传滨
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2019/03/29
A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM
期刊论文
OAI收割
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2017
作者:
Ceng CB(曾传滨)
;
Zhao FZ(赵发展)
;
Yan WW(闫薇薇)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2018/05/16
Experimental and Simulation Studies of Single Event Transient in Partially-depleted SOI MOSFET
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics B, 2017
作者:
Yan WW(闫薇薇)
;
Gao LC(高林春)
;
Li XJ(李晓静)
;
Zhao FZ(赵发展)
;
Ceng CB(曾传滨)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2018/05/16
基于PDSOI的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究
期刊论文
OAI收割
微电子学与计算机, 2017
作者:
于猛
;
韩郑生
;
曾传滨
;
闫薇薇
;
李博
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2018/05/16
一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器
专利
OAI收割
专利号: CN201620835458.3, 申请日期: 2017-01-18,
作者:
于猛
;
韩郑生
;
罗家俊
;
闫薇薇
;
曾传滨
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2018/02/07
一种高速信号自隔离装置
专利
OAI收割
专利号: CN201620302318.X, 申请日期: 2016-11-23,
作者:
曾传滨
;
刘梦新
;
韩郑生
;
罗家俊
;
倪涛
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2017/06/01
一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法
专利
OAI收割
专利号: CN201410031166.X, 申请日期: 2016-07-06, 公开日期: 2014-05-14
作者:
韩郑生
;
曾传滨
;
毕津顺
;
卜建辉
;
李书振
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2017/06/01