中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
新疆理化技术研究所 [11]
采集方式
OAI收割 [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2022 [3]
2021 [3]
2020 [1]
2019 [2]
2018 [1]
2017 [1]
更多
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774
作者:
冯皓楠1,2,3
;
杨圣1,2,3
;
梁晓雯1,2,3
;
张丹1,2,3
;
蒲晓娟1,2,3
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:84/0
  |  
提交时间:2022/05/06
碳化硅
总剂量效应
静态参数
动态特性
耗尽层
质子辐照下正照式和背照式图像传感器的单粒子瞬态效应
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 182-189
作者:
傅婧1,2,3
;
蔡毓龙4
;
李豫东1,2
;
冯婕1,2
;
文林1,2
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2022/03/17
CMOS图像传感器
质子辐照
单粒子效应
瞬态亮斑
磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297
作者:
周书星1
;
方仁凤1
;
魏彦锋1
;
陈传亮1
;
曹文彧1
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2022/02/18
磷化铟高电子迁移率晶体管
二维电子气
电子束辐照
辐射加固
10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究(英文)
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2135-2142
作者:
冯婕1,2
;
李豫东1,2
;
傅婧1,2,3
;
文林1,2
;
郭旗1,2
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2022/03/07
时空数据
可视分析
网吧记录
共现群体
辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号(英文)
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2143-2150
作者:
刘炳凯1,2,3,4
;
李豫东1,2,3
;
文林1,2,3
;
周东1,2,3
;
郭旗1,2,3
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2022/03/07
CMOS图像传感器
位移损伤效应
电离总剂量效应
暗电流随机电报信号
8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究(英文)
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2128-2134
作者:
傅婧1,2,3
;
李豫东1,2
;
冯婕1,2
;
文林1,2
;
郭旗1,2
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2022/01/25
CMOS图像传感器
钳位光电二极管
质子辐照
电离总剂量
位移损伤剂量
0.18μm CMOS有源像素图像传感器质子辐照效应
期刊论文
OAI收割
红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 183-188
作者:
蔡毓龙1,2,3
;
李豫东1,3
;
文林1,3
;
冯婕3,1
;
郭旗3,1
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2020/12/04
CMOS图像传感器
单粒子效应
累积辐射效应
质子
Spectral and electrical properties of 3 MeV and 10 MeV proton irradiated InGaAsP single junction solar cell
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1-6
作者:
Xu, Y (Xu, Yan)[ 1,2 ]
;
Heini, M (Heini, Maliya)[ 2 ]
;
Shen, XB (Shen, Xiaobao)[ 2,3 ]
;
Aierken, A (Aierken, Abuduwayiti)[ 2,4 ]
;
Zhao, XF (Zhao, Xiaofan)[ 2 ]
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:140/0
  |  
提交时间:2019/03/19
Heavy ion-induced single event effects in active pixel sensor array
期刊论文
OAI收割
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, 卷号: 152, 期号: 2, 页码: 93-99
作者:
Cai, YL (Cai, Yu-Long)[ 1,2,3 ]
;
Guo, Q (Guo, Qi)[ 1,2 ]
;
Li, YD (Li, Yu-Dong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ]
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:139/0
  |  
提交时间:2019/01/03
CMOS active pixel sensor (APS)
SEE
Heavy ion
Total ionizing dose effects in pinned photodiode complementary metal-oxide-semiconductor transistor active pixel sensor
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1-5
作者:
Ma, LD (Ma, Lin-Dong)[ 1,2,3 ]
;
Li, YD (Li, Yu-Dong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ]
;
Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ]
;
Zhang, X (Zhang, Xiang)[ 1,2,3 ]
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:54/0
  |  
提交时间:2018/11/20
Cmos Active Pixel Sensor
Dark Current
Quantum Efficiency