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机构
西安光学精密机械研... [13]
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OAI收割 [13]
内容类型
专利 [13]
发表日期
2010 [3]
2009 [1]
2006 [3]
2001 [1]
2000 [1]
1996 [3]
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フォトニック結晶面発光レーザおよびフォトニック結晶面発光レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2010114384A, 申请日期: 2010-05-20, 公开日期: 2010-05-20
作者:
松原 秀樹
;
齊藤 裕久
;
吉本 晋
;
野田 進
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提交时间:2019/12/31
面発光装置およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2010098135A, 申请日期: 2010-04-30, 公开日期: 2010-04-30
作者:
松原 秀樹
;
齊藤 裕久
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提交时间:2019/12/30
フォトニック結晶面発光レーザ素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2010098136A, 申请日期: 2010-04-30, 公开日期: 2010-04-30
作者:
松原 秀樹
;
齊藤 裕久
;
吉本 晋
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提交时间:2020/01/18
面発光型半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP2009111167A, 申请日期: 2009-05-21, 公开日期: 2009-05-21
作者:
古川 将人
;
松原 秀樹
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP2006165255A, 申请日期: 2006-06-22, 公开日期: 2006-06-22
作者:
松原 秀樹
;
齊藤 裕久
;
三崎 貴史
;
山口 章
;
塩崎 学
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提交时间:2020/01/13
面発光レーザ素子および面発光レーザアレイ
专利
OAI收割
专利号: JP2006121010A, 申请日期: 2006-05-11, 公开日期: 2006-05-11
作者:
松原 秀樹
;
齊藤 裕久
;
広瀬 義幸
;
山口 章
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提交时间:2020/01/18
発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP2006106303A, 申请日期: 2006-04-20, 公开日期: 2006-04-20
作者:
齊藤 裕久
;
廣瀬 義幸
;
松原 秀樹
;
山口 章
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提交时间:2020/01/13
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP2001015813A, 申请日期: 2001-01-19, 公开日期: 2001-01-19
作者:
中村 孝夫
;
松原 秀樹
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提交时间:2020/01/18
ZnSe系化合物半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP2000307150A, 申请日期: 2000-11-02, 公开日期: 2000-11-02
作者:
片山 浩二
;
三枝 明彦
;
松原 秀樹
;
武部 敏彦
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提交时间:2019/12/30
エピタキシャルウェハおよびそれを用いた半導体レーザ素子ならびにその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1996264901A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11
作者:
松原 秀樹
;
三浦 祥紀
;
関 壽
;
纐纈 明伯
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提交时间:2020/01/18