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半导体研究所 [18]
上海微系统与信息技术... [1]
采集方式
OAI收割 [18]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [18]
成果 [1]
发表日期
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Morphological and electrical properties of inp grown by solid source molecular beam epitaxy
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 299, 期号: 2, 页码: 243-247
作者:
Pi, Biao
;
Shu, Yongchun
;
Lin, Yaowang
;
Sun, Jiaming
;
Qu, Shengchun
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提交时间:2019/05/12
Electron concentration
High electron mobility
Surface morphology
Inp epilayer
Molecular beam epitaxy
不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 1012-1015
作者:
陈涌海
;
徐波
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提交时间:2010/11/23
MBE Growth of High Electron Mobility InP Epilayers
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1485-1488
作者:
Xu Bo
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提交时间:2010/11/23
3μm GaInNAs/GasAs Quantum Well Resonant Cavity Enhanced Photodetector
期刊论文
OAI收割
光子学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 303-307
作者:
Zhang Wei
;
Xu Yingqiang
;
Zhang Ruikang
;
Xu Yingqiang
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提交时间:2010/11/23
GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究
期刊论文
OAI收割
红外与毫米波学报, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 25
罗向东
;
徐仲英
;
潘钟
;
李联合
;
林耀望
;
葛维琨
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提交时间:2010/11/23
离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响(英文)
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 31
作者:
张伟
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提交时间:2010/11/23
分子束外延生长高应变单量子阱激光器(英文)
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 9, 页码: 1097
作者:
徐应强
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提交时间:2010/11/23
Effects of Rapid Thermal Annealing on OpticalProperties of GaInNAs/ GaAs Single Quantum Well Grown by Plasma- Assisted Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 974
作者:
Zhang W(张伟)
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提交时间:2010/11/23
Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grownon Ga As by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 219
作者:
Zhang W(张伟)
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
Effects of Growth Conditions on Optical Properties ofGa In NAs/Ga As Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 1152
作者:
Zhang W(张伟)
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提交时间:2010/11/23