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Morphological and electrical properties of inp grown by solid source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 299, 期号: 2, 页码: 243-247
作者:  
Pi, Biao;  Shu, Yongchun;  Lin, Yaowang;  Sun, Jiaming;  Qu, Shengchun
收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2019/05/12
不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 1012-1015
作者:  
陈涌海;  徐波
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2010/11/23
MBE Growth of High Electron Mobility InP Epilayers 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1485-1488
作者:  
Xu Bo
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2010/11/23
3μm GaInNAs/GasAs Quantum Well Resonant Cavity Enhanced Photodetector 期刊论文  OAI收割
光子学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 303-307
作者:  
Zhang Wei;  Xu Yingqiang;  Zhang Ruikang;  Xu Yingqiang
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2010/11/23
GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究 期刊论文  OAI收割
红外与毫米波学报, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 25
罗向东; 徐仲英; 潘钟; 李联合; 林耀望; 葛维琨
收藏  |  浏览/下载:27/0  |  提交时间:2010/11/23
离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响(英文) 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 31
作者:  
张伟
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2010/11/23
分子束外延生长高应变单量子阱激光器(英文) 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 9, 页码: 1097
作者:  
徐应强
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2010/11/23
Effects of Rapid Thermal Annealing on OpticalProperties of GaInNAs/ GaAs Single Quantum Well Grown by Plasma- Assisted Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 974
作者:  
Zhang W(张伟)
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2010/11/23
Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grownon Ga As by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 219
作者:  
Zhang W(张伟)
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2010/11/23
Effects of Growth Conditions on Optical Properties ofGa In NAs/Ga As Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 1152
作者:  
Zhang W(张伟)
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2010/11/23