机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 2009 [2]
• 1999 [1]
• 1997 [1]
• 1995 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体发光装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101447640A, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 2009-06-03 作者:  山口勉;  田代贺久;  森健三;  坂本博夫;  西田武弘   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2009059792A, 申请日期: 2009-03-19, 公开日期: 2009-03-19 作者:  立岡 靖晃;  久 義浩;  森 健三   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18 面発光レーザ用ミラー構造およびその形成方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999145555A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28 作者:  武政 敬三;  和田 浩;  高森 毅;  上條 健   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体装置の製造方法、半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997051143A, 申请日期: 1997-02-18, 公开日期: 1997-02-18 作者:  森 健三   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 面発光レーザダイオードの製造方法,及び面発光レーザダイオード 专利  OAI收割 专利号: JP1995312462A, 申请日期: 1995-11-28, 公开日期: 1995-11-28 作者:  森 健三   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザダイオード 专利  OAI收割 专利号: JP1999220214A, 公开日期: 1999-08-10 作者:  森 健三   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26