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机构
西安光学精密机械研... [15]
采集方式
OAI收割 [15]
内容类型
专利 [15]
发表日期
2014 [1]
2005 [1]
2003 [1]
2002 [3]
2000 [4]
1996 [2]
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半導体発光デバイス用部材形成液、半導体発光デバイス用部材、航空宇宙産業用部材、半導体発光デバイス、及び蛍光体組成物
专利
OAI收割
专利号: JP2014099651A, 申请日期: 2014-05-29, 公开日期: 2014-05-29
作者:
加藤 波奈子
;
森 寛
;
新原 正人
;
滝沢 健一
;
松尾 史之
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提交时间:2019/12/30
半導体レーザ装置および光ヘッド装置
专利
OAI收割
专利号: JP2005136171A, 申请日期: 2005-05-26, 公开日期: 2005-05-26
作者:
藤森 安雄
;
森山 克也
;
石原 久寛
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提交时间:2019/12/31
光源装置、レーザダイオードチップ及びレーザダイオードチップの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2003046182A, 申请日期: 2003-02-14, 公开日期: 2003-02-14
作者:
中村 五郎
;
森山 克也
;
石原 久寛
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提交时间:2019/12/31
光ヘッド用受発光装置の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2002312975A, 申请日期: 2002-10-25, 公开日期: 2002-10-25
作者:
森山 克也
;
石原 久寛
;
竹村 政夫
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提交时间:2019/12/31
レーザ光源装置、レーザ光源装置の製造方法、および光ヘッド装置
专利
OAI收割
专利号: JP2002217479A, 申请日期: 2002-08-02, 公开日期: 2002-08-02
作者:
森山 克也
;
石原 久寛
;
竹村 政夫
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提交时间:2019/12/31
光源装置
专利
OAI收割
专利号: JP2002094166A, 申请日期: 2002-03-29, 公开日期: 2002-03-29
作者:
森山 克也
;
石原 久寛
;
竹村 政夫
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP3129973B2, 申请日期: 2000-11-17, 公开日期: 2001-01-31
作者:
河西 秀典
;
森本 泰司
;
兼岩 進治
;
林 寛
;
宮内 伸幸
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提交时间:2019/12/23
発光素子およびその製法
专利
OAI收割
专利号: JP3121202B2, 申请日期: 2000-10-20, 公开日期: 2000-12-25
作者:
白木 靖寛
;
深津 晋
;
大森 宣典
;
奥 秀彦
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP3075512B2, 申请日期: 2000-06-09, 公开日期: 2000-08-14
作者:
河西 秀典
;
林 寛
;
森本 泰司
;
兼岩 進治
;
山口 雅広
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザ素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3038186B2, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-05-08
作者:
河西 秀典
;
林 寛
;
森本 泰司
;
兼岩 進治
;
山口 雅広
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提交时间:2020/01/13