机构

• 微电子研究所 [7]
• 新疆理化技术研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 专利 [2]

发表日期

• 2014 [3]
• 2013 [3]
• 2009 [3]
• 2008 [2]

学科主题

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 多个耿氏二极管耦合增大毫米波振荡源的功率输出 专利  OAI收割 专利号: CN201210233913.9, 申请日期: 2014-04-02, 公开日期: 2012-10-17 作者:  武德起;  贾锐;  金智;  刘新宇;  叶甜春   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/05/14 Optimization of ohmic contact for InP-based transferred electronic devices 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors, 2014 作者:  Jia R(贾锐);  Wu DQ(武德起);  Ding WC(丁武昌);  Yang SS(杨珊珊);  Liu XY(刘新宇)   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/04/16 High performance oscillator with 2-mW output power at 300 GHz 期刊论文  OAI收割 Chin. Phys. B, 2014 作者:  Liu XY(刘新宇);  Jin Z(金智);  Jia R(贾锐);  Yang SS(杨珊珊);  Ding WC(丁武昌)   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/04/16 The design and manufacture of a notch structure for a planar InP Gunn diode 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYS B, 2013 作者:  Wu DQ(武德起);  Jia R(贾锐)   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2014/10/27 100 GHz InP基转移电子器件的研制 期刊论文  OAI收割 Advanced Materials Research, 2013 作者:  贾锐;  武德起;  白阳   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/10/27 Investigation of chlorine-based etchants in wet and dry etching technology for InP planar Gunn diode 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYS B, 2013 作者:  Jia R(贾锐);  Wu DQ(武德起);  Bai Y(白阳)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/10/27 Leakage current mechanisms of ultrathin high-k Er2O3 gate dielectric film 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors, 2009, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 21-26 作者:  Wu, Deqi;  Yao, Jincheng;  Zhao, Hongsheng;  Chang, Aimin;  Li, Feng 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2014/11/11 Er_2O_3  high-kappa gate dielectrics  leakage current  leakage current mechanisms   高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能 期刊论文  OAI收割 河北大学学报(自然科学版), 2009, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 484-488,554 作者:  武德起;  姚金城;  赵红生;  常爱民;  李锋   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/11/29 Zro2薄膜  高介电栅介质  等效厚度  漏电流   高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性（英文） 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2009, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 71-74 作者:  武德起;  姚金城;  赵红生;  张东炎;  常爱民   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/11/29 高介电栅介质材料  激光分子束外延  二氧化铪   高介电栅介质材料研究进展 期刊论文  OAI收割 无机材料学报, 2008, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 865-871 作者:  武德起;  赵红生;  姚金城;  张东炎;  常爱民   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/11/29 高介电栅介质  晶化温度  低介电界面层  金属栅电极   首页 上一页 1 2 下一页 末页