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机构
西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
1997 [1]
1996 [1]
1995 [2]
1994 [3]
1993 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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リッジ導波路型半導体レーザダイオード
专利
OAI收割
专利号: JP1997307184A, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1997-11-28
作者:
大久保 典雄
;
粕川 秋彦
;
池上 嘉一
;
行谷 武
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提交时间:2019/12/31
光モジュールの製造方法および光モジュール
专利
OAI收割
专利号: JP1996213688A, 申请日期: 1996-08-20, 公开日期: 1996-08-20
作者:
池上 嘉一
;
岩瀬 正幸
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提交时间:2019/12/30
半導体発光素子とその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1995131124A, 申请日期: 1995-05-19, 公开日期: 1995-05-19
作者:
築地 直樹
;
池上 嘉一
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1995015086A, 申请日期: 1995-01-17, 公开日期: 1995-01-17
作者:
岩瀬 正幸
;
池上 嘉一
;
並木 周
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザと光ファイバとの光学的結合方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994281846A, 申请日期: 1994-10-07, 公开日期: 1994-10-07
作者:
池上 嘉一
;
並木 周
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提交时间:2019/12/30
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1994204602A, 申请日期: 1994-07-22, 公开日期: 1994-07-22
作者:
柴田 光義
;
池上 嘉一
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提交时间:2020/01/13
半導体素子
专利
OAI收割
专利号: JP1994140621A, 申请日期: 1994-05-20, 公开日期: 1994-05-20
作者:
池上 嘉一
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1993075216A, 申请日期: 1993-03-26, 公开日期: 1993-03-26
作者:
池上 嘉一
;
竹田 昇一
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提交时间:2020/01/18