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采集方式
OAI收割 [14]
内容类型
期刊论文 [10]
会议论文 [2]
专利 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2005 [2]
2004 [2]
2003 [1]
2002 [4]
2001 [5]
学科主题
红外基础研究 [1]
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浏览/检索结果:
共14条,第1-10条
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InAs/GaAs量子点光学性质研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2005
作者:
汤乃云
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/07/11
量子点
应变分布
电子能级
尺寸分布
压力系数
尺寸分布对量子点激发态发光性质的影响
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 12
作者:
汤乃云
;
陈效双
;
陆卫
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2011/11/08
提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法
专利
OAI收割
专利号: CN1471177A, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
作者:
陆卫
;
季亚林
;
陈效双
;
李志锋
;
李宁
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2020/01/18
低维结构中的应变效应的研究
期刊论文
OAI收割
红外, 2004, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 16-20
作者:
汤乃云
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2011/11/14
Proton-implantation-induced photoluminescence enhancement in self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
OAI收割
Applied Physics Letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 17
作者:
Yalin Ji
;
Guibin Chen
;
Naiyun Tang
;
Qing Wang
;
X. G. Wang et al
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2011/11/30
Ge-SiO_2薄膜的XPS研究
期刊论文
OAI收割
微细加工技术, 2002, 期号: 01
叶春暖
;
汤乃云
;
吴雪梅
;
诸葛兰剑
;
余跃辉
;
姚伟国
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2012/03/29
K1 Ge-SiO2薄膜
溅射
XPS谱
退火
退火温度对Ge-SiO_2薄膜结构的影响
期刊论文
OAI收割
功能材料, 2002, 期号: 03
汤乃云
;
叶春暖
;
吴雪梅
;
诸葛兰剑
;
俞跃辉
;
姚伟国
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/29
K1 薄膜
溅射
退火温度
硅基氧化物薄膜的结构及光吸收特性的研究
期刊论文
OAI收割
功能材料, 2002, 期号: 02
吴雪梅
;
董业民
;
诸葛兰剑
;
叶春暖
;
汤乃云
;
俞跃辉
;
宁兆元
;
姚伟国
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提交时间:2012/03/29
K1 薄膜
结构
光吸收
Ge-SiO_2薄膜的结构及其发光特性的研究
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2002, 期号: 02
叶春暖
;
汤乃云
;
吴雪梅
;
诸葛兰剑
;
俞跃辉
;
姚伟国
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2012/01/06
锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制
期刊论文
OAI收割
功能材料, 2001, 期号: 06
董业民
;
叶春暖
;
汤乃云
;
陈静
;
吴雪梅
;
诸葛兰剑
;
王曦
;
姚伟国
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/03/29