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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102934301B, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2014-10-22 作者:  高木慎平;  善积祐介;  片山浩二;  上野昌纪;  池上隆俊   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/24 III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN102668282B, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15 作者:  高木慎平;  善积祐介;  片山浩二;  上野昌纪;  池上隆俊   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  德山慎司   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN102668279B, 申请日期: 2014-09-10, 公开日期: 2014-09-10 作者:  善积祐介;  高木慎平;  池上隆俊;  上野昌纪;  片山浩二   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18 III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  德山慎司   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN102763293B, 申请日期: 2014-07-23, 公开日期: 2014-07-23 作者:  高木慎平;  善积祐介;  片山浩二;  上野昌纪;  池上隆俊   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  秋田胜史   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN102341977B, 申请日期: 2013-06-19, 公开日期: 2013-06-19 作者:  高木慎平;  善积祐介;  片山浩二;  上野昌纪;  池上隆俊   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/24 Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN101984774B, 申请日期: 2013-02-13, 公开日期: 2013-02-13 作者:  善积祐介   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/24 Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN102714397A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03 作者:  善积祐介;  高木慎平;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18