中国科学院机构知识库网格系统: 检索

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条

帮助

条数/页：排序方式：
	SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究学位论文 OAI收割博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2006 狄增峰收藏 \|
	基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备方法专利 OAI收割专利类型: 发明, 专利号: CN1588619, 申请日期: 2005-03-02, 公开日期: 2005-03-02 狄增峰; 安正华; 张苗; 林成鲁收藏 \|
	改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理研究会议论文 OAI收割第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会, 2005 张苗; 狄增峰; 刘卫丽; 骆苏华; 宋志棠; 朱剑豪; 林成鲁收藏 \|
	Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理会议论文 OAI收割第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会, 2005 刘卫丽; 狄增峰; 张苗; 骆苏华; 宋志棠; 朱剑豪; 林成鲁收藏 \|
	SOI在射频电路中的应用期刊论文 OAI收割微电子学, 2005, 期号: 01 骆苏华; 刘卫丽; 张苗; 狄增峰; 王石冶; 宋志棠; 孙晓玮; 林成鲁收藏 \|
	超薄SOI上应变锗硅材料的生长会议论文 OAI收割第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会, 2003 狄增峰; 张苗; 吴雁军; 安正华; 朱鸣; 刘卫丽; 林成鲁收藏 \|