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半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP3699753B2, 申请日期: 2005-07-15, 公开日期: 2005-09-28
作者:  石谷 善博;  皆川 重量;  田中 俊明;  濱田 博
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
化合物半導体の形成方法 专利  OAI收割
专利号: JP2982345B2, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-11-22
作者:  皆川 重量;  山口 浩;  近藤 正彦;  柳沢 浩徳
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26
窒化物系化合物半導体の成長方法およびその発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998335702A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
作者:  内田 憲治;  丹羽 敦子;  後藤 順;  河田 雅彦;  皆川 重量
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
光情報処理装置およびこれに適した固体光源および半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP1998270804A, 申请日期: 1998-10-09, 公开日期: 1998-10-09
作者:  後藤 順;  近藤 正彦;  皆川 重量;  河田 雅彦;  赤松 正一
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/18
結晶成長方法 专利  OAI收割
专利号: JP2828979B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
作者:  近藤 正彦;  皆川 重量;  梶村 俊
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13
窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998242520A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
作者:  後藤 順;  皆川 重量;  河田 雅彦;  赤松 正一
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998242585A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
作者:  後藤 順;  皆川 重量;  河田 雅彦;  赤松 正一
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13
窒化ガリウム系化合物半導体の気相エッチング方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998107006A, 申请日期: 1998-04-24, 公开日期: 1998-04-24
作者:  後藤 順;  赤松 正一;  河田 雅彦;  皆川 重量
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/30
半導体レーザ素子及び半導体レーザアレイ 专利  OAI收割
专利号: JP2723944B2, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1998-03-09
作者:  田中 俊明;  皆川 重量;  梶村 俊
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窒化物系化合物半導体光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1997232681A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05
作者:  内田 憲治;  渡辺 明禎;  田中 俊明;  皆川 重量
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