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氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101471536B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06
作者:  川上俊之;  神川刚;  谷健太郎
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氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101471536B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06
作者:  川上俊之;  神川刚;  谷健太郎
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制作氮化物半导体发光器件的方法 专利  OAI收割
专利号: CN1755957B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06
作者:  高仓辉芳
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氮化物半导体发光器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1581610B, 申请日期: 2012-04-11, 公开日期: 2012-04-11
作者:  神川刚;  山田英司;  荒木正浩;  金子佳加
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氮化物半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN102280817A, 申请日期: 2011-12-14, 公开日期: 2011-12-14
作者:  山田英司;  神川刚;  荒木正浩
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氮化物半导体发光器件和半导体发光器件 专利  OAI收割
专利号: CN102144342A, 申请日期: 2011-08-03, 公开日期: 2011-08-03
作者:  神川刚;  麦华路巴武吕;  伊藤茂稔
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氮化物半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101540477B, 申请日期: 2011-06-15, 公开日期: 2011-06-15
作者:  山田英司;  神川刚;  荒木正浩
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氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置 专利  OAI收割
专利号: CN101997268A, 申请日期: 2011-03-30, 公开日期: 2011-03-30
作者:  太田征孝;  神川刚
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发光装置及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101950921A, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19
作者:  神川刚;  川口佳伸
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氮化物半导体芯片及其制造方法以及半导体器件 专利  OAI收割
专利号: CN101944480A, 申请日期: 2011-01-12, 公开日期: 2011-01-12
作者:  神川刚;  太田征孝
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